[發(fā)明專利]一種適用于大電流驅(qū)動(dòng)的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210508820.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN103855262A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬亮;梁信偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 同方光電科技有限公司;同方股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種適用于大電流驅(qū)動(dòng)的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu)，它從襯底開始自下而上依次包括：n型化合物半導(dǎo)體、有源區(qū)和p型化合物半導(dǎo)體三部分；n型化合物半導(dǎo)體包括緩沖層、非摻雜層、n型電子注入物層，p型化合物半導(dǎo)體包括p型電子阻擋層和p型空穴注入層，n型化合物半導(dǎo)體、有源區(qū)和p型化合物半導(dǎo)體三部分的組成材料均為氮化物Al_xIn_yGa_1-x-yN?(0≤x，y≤1；x+y≤1)，且各部分由一層或者若干層不同組分的Al_xIn_yGa_1-x-yN?(0≤x，y≤1；x+y≤1)構(gòu)成；其特征在于，所述有源區(qū)是由m個(gè)量子阱和m+1個(gè)量子壘交替堆疊而成，其中，m為任意自然數(shù)，量子壘的最大禁帶寬度大于相鄰量子阱的最大禁帶寬度，不同量子壘的最大禁帶寬度或膜層厚度呈現(xiàn)漸變方式分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述m+1個(gè)量子壘的最大禁帶寬度按照自下而上的方向呈現(xiàn)逐漸增大或者先減小再增大的漸變方式分布，且其中至少存在A（A為非負(fù)整數(shù)，A≤m）個(gè)最大禁帶寬度保持不變的量子壘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述m+1個(gè)量子壘的膜層厚度按照自下而上的方向呈現(xiàn)逐漸增大或者先減小再增大的漸變方式分布，且其中至少存在B（B為非負(fù)整數(shù)，B≤m）個(gè)膜層厚度保持不變的量子壘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述量子壘和量子阱的禁帶寬度都通過調(diào)節(jié)氮化物Al_xIn_yGa_1-x-yN?(0≤x，y≤1；x+y≤1)的化學(xué)組分實(shí)現(xiàn)。