[發明專利]一種在單晶硅晶圓上實現高速率沉積SiO₂薄膜的背封工藝有效

申請號：	201210508385.3	申請日：	2012-12-03
公開（公告）號：	CN103021842A	公開（公告）日：	2013-04-03
發明（設計）人：	劉建偉;齊呈躍;黃建國;李家友	申請（專利權）人：	天津中環領先材料技術有限公司
主分類號：	H01L21/316	分類號：	H01L21/316
代理公司：	天津中環專利商標代理有限公司 12105	代理人：	莫琪
地址：	300384 天津市西青***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種單晶硅晶圓上實現速率沉積 sio sub 薄膜工藝
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【權利要求書】：

1.一種在單晶硅晶圓上實現高速率沉積SiO₂薄膜的背封工藝，其特征在于，通過增大氣體流量的方式增大反應氣體的壓強，使反應腔室內反應氣體的濃度增加，反應產物SiO₂的濃度相應增加,通過周邊吹掃氮氣形成U形氮氣墻，使反應區域壓強積累，實現在單晶硅晶圓表面高速沉積SiO₂薄膜；所述工藝包括如下次序步驟：

A．將潔凈的待處理單晶硅晶圓通過機械傳送至反應腔室下面，單晶硅晶圓表面加工溫度保持在400-500℃；

B.?向反應腔室內通入純度≥99.9999%的硅烷和純度≥99.9999%的氧氣；通入硅烷的流量為：59?sccm至132sccm，通入氧氣的流量為649sccm至1452sccm；U形氮氣墻中保護氣體氮氣的流量為500?L/min至600L/min，碳化硅托盤底部加熱單元升溫至650℃～750℃，單晶硅晶圓傳送單元表面覆蓋有冷卻水裝置，冷卻水裝置使單晶硅晶圓表面加工溫度保持在400～500℃；

C.????將硅烷與氧氣反應的生成物通過反應腔室噴頭噴出，硅烷與氧氣反應的生成物沉積在單晶硅晶圓表面形成氧化膜；

D.????氧化膜沉積完成后，單晶硅晶圓被繼續傳送至背封機上載臺，單晶硅晶圓沉積過程完成；

E.????利用吸盤或手貼膜去除方法，去除完成氧化膜沉積的單晶硅晶圓邊緣的氧化層。

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