[發明專利]一種采用擠壓方式去除IGBT用硅晶圓拋光片邊緣氧化膜的方法有效
| 申請號: | 201210508373.0 | 申請日: | 2012-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN103065935A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 孫晨光;馮碩;由佰玲;崔麗;周潘 | 申請(專利權)人: | 天津中環領先材料技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B28D5/00 |
| 代理公司: | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人: | 莫琪 |
| 地址: | 300384 天津市西青區*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 擠壓 方式 去除 igbt 用硅晶圓 拋光 邊緣 氧化 方法 | ||
1.一種采用擠壓方式去除IGBT用硅晶圓拋光片邊緣氧化膜的方法,其特征在于,設計專用擠壓式去邊機,將專用的擠壓去邊機應用于硅晶圓拋光片邊緣氧化膜處理過程;
所述擠壓式去邊機由支架、定位臺?、擠壓進退組件、擠壓盤和?旋轉組件構成;
所述支架作為定位臺?、擠壓進退組件、壓盤和?旋轉組件的支承體呈U形,支架的左右兩側板鏡向對稱,左右兩側板上分別加工一個軸孔,兩軸孔同心;?
所述定位臺為h形狀,定位臺的下部固定在支架的底板平面中央位置上;其定位平面和定位立面相互垂直成直角;
所述擠壓進退組件由芯軸、螺紋擠壓桿、螺孔盤、彈簧、過度盤和左側擠壓盤構成;
螺孔盤通過螺栓固定在支架左側板外側,螺孔盤的螺孔與左側板上軸孔位置對應,兩孔同心;過度盤固定在支架左側板內側,與左側板上軸孔位置對應,兩孔同心;
螺紋擠壓桿旋在螺孔盤上,芯軸裝配在螺紋擠壓桿的中心孔內,芯軸的軸右端部穿過過度盤35和擠壓盤中心盲孔配合;芯軸的軸左端部加工螺紋,配合螺母;
水平調整芯軸,使芯軸的軸右端部頂在擠壓盤中心盲孔底部,然后通過銷釘將螺紋擠壓桿和芯軸固定,當螺紋擠壓桿在螺孔盤旋入時,?芯軸隨螺紋擠壓桿向右移動,擠壓盤在芯軸的頂推下隨之向右移動;
所述旋轉組件由搖柄、動軸、右側擠壓盤構成;搖柄通過動軸驅動右側擠壓盤旋轉;
????定位臺位于兩個擠壓盤中間,定位臺成直角形,定位臺底面用于定位硅晶圓片參考面,垂直面用于定位硅晶圓片邊緣;擠壓盤與定位臺高度為75mm;
所述采用擠壓方式去除IGBT用硅晶圓拋光片邊緣氧化膜的方法,包括如下步驟:?
步驟1、?把經過背損傷、清洗之后的硅晶圓片從片藍中取出,硅晶圓片背封面與膠圈墊片膠圈面對齊,參考面朝下,將其放在擠壓去邊機的定位臺上定位;?
步驟2、?通過轉動螺紋擠壓桿將定位好的硅晶圓片和膠圈墊片緊緊擠壓到一起,根據不同的尺寸可以更換膠圈墊片;
步驟3、?將夾好硅晶圓片和膠圈墊片的擠壓去邊機放置于充滿HF蒸汽的腔室或將夾好硅晶圓片和膠圈墊片局部浸入HF溶液中,搖動搖柄使右側擠壓盤旋轉?,持續1-5分鐘完全除去邊緣的SiO2膜;
步驟4、用純水沖洗掉硅晶圓片表面殘留的HF后,將硅晶圓片和膠圈墊片分離,插入片籃甩干。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





