[發明專利]一種碳化硅顆粒增強鎂基復合材料及制備方法無效
| 申請號： | 201210508349.7 | 申請日： | 2012-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103031452A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發明（設計）人： | 楊琳;喬力;賈亞斌;徐平平;鄧世岐;薛振華;包駿 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | C22C1/05 | 分類號： | C22C1/05;C22C23/00;C22C32/00 |
| 代理公司： | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人： | 盧茂春 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 顆粒 增強 復合材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅顆粒增強鎂基復合材料，其特征在于是一種是以純Mg粉末、Al粉末和SiC顆粒微粉為原材料，采用粉末冶金和多向鍛造法制備的碳化硅顆粒增強鎂基復合材料。
2.權利要求1所述一種碳化硅顆粒增強鎂基復合材料的制備方法，其特征在于包括下述工藝步驟：?
①、配制Mg粉、Al粉和SiC顆粒粉混合的混合粉末，混料機中混合20min，混料過程中需氮氣保護，其中Al粉質量百分比為5%～10%，SiC顆粒粉末的質量百分數為5%～25%；
②、將步驟①中的混合粉末壓制成孔隙度<5%的粉末坯體，在真空條件下，于500℃進行無壓燒結，所得產物即為SiC顆粒增強鎂基復合坯體；
③、將步驟②后得到的SiC顆粒增強鎂基復合坯體在鍛壓機上，溫度在400～420℃進行三次多向鍛造，每次變形率達到25～35%。
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