[發(fā)明專利]一種單晶硅晶圓單切腐蝕片的加工方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210508258.3 | 申請日： | 2012-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103014876A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅翀;甄洪昌;徐榮清;韓貴祥;李翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C23F1/24 |
| 代理公司： | 天津中環(huán)專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 王鳳英 |
| 地址： | 300384 天津市西青區(qū)*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單晶硅 晶圓單切 腐蝕 加工 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種單晶硅晶圓單切腐蝕片的加工方法，其特征在于，采取如下工藝：
（一）.將硅片雙面去除量控制在：20±2μm；
（二）.酸腐蝕液按照以下組分的濃度百分比進行配制：氫氟酸：9.03~12.41%，硝酸：39.9~42.0%，醋酸：19.2~23.1%，其余組分為去離子水；?
（三）.在酸腐蝕液中添加氨水作為添加劑，氨水為酸腐蝕液總量的1.08~2.48%；
（四）.經(jīng)腐蝕后的硅片表面光澤度控制在2～4Gs；?
（五）.在酸腐蝕過程中，選擇在氮氣位置為50～150mm向酸腐蝕液槽中鼓吹氮氣，氮氣流量為100～300L/min，氮氣壓力為80～300Pa，氮氣時間為全程；?
（六）.酸腐蝕液循環(huán)量為300L，在每腐蝕50片后，酸腐蝕液排出量為1～2L，酸腐蝕液補入量為0.3～1L。
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