[發(fā)明專利]光學(xué)組件及制造方法，光伏器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210507790.3
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN103048706A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 谷鋆鑫;丁君
• 申請（專利權(quán)）人: 法國圣戈班玻璃公司
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11;H01L31/0216;H01L31/0232
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 郎曉虹;陳煒

1.一種光學(xué)組件，包括：

基底；以及

第一抗反射層，包括顆粒陣列以及填充介質(zhì)，

其中，所述填充介質(zhì)至少部分地填充所述顆粒陣列的多個顆粒之間的空隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述第一抗反射層與所述基底直接接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述光學(xué)組件還包括第二抗反射層，位于所述基底與所述第一抗反射層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述第二抗反射層包括形成于所述基底上的多孔氧化硅膜層、氟化鎂膜層、介孔二氧化硅顆粒層、或者蛾眼結(jié)構(gòu)膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述多個顆粒是直徑為80nm至250nm的球體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述填充介質(zhì)是多個納米粒子。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述多個顆粒以及所述多個納米粒子是二氧化硅球體、二氧化鈦球體、氧化鋁球體或者氧化鋯球體中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述多個納米粒子是直徑為7nm至12nm的二氧化硅球體，所述多個顆粒是直徑為80nm至250nm的二氧化硅球體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述第一抗反射層的制備包括以下步驟：

提供所述直徑為80nm至250nm的二氧化硅球體的第一懸浮液；

施加所述第一懸浮液并干燥；

提供所述直徑為7nm至12nm的二氧化硅球體的第二懸浮液；

施加所述第二懸浮液并干燥。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述填充介質(zhì)填充所述多個顆粒之間的空隙的至少90%。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述多個顆粒與所述填充介質(zhì)是一體的。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述第一抗反射層的制備包括以下步驟：

提供直徑為80nm至250nm的二氧化硅球體的第一懸浮液；

施加所述第一懸浮液并干燥；

提供直徑為7nm至12nm的二氧化硅球體的第二懸浮液；

施加所述第二懸浮液并干燥；以及

退火使得所述二氧化硅球體呈熔融態(tài)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述填充介質(zhì)是多孔二氧化硅、多孔二氧化鈦、多孔氧化鋁或者多孔氧化鋯中的一種或多種。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，還包括透明致密層，所述透明致密層位于所述基底上，緊鄰所述基底，所述透明致密層的材料是二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁或者氧化鋯中的一種或多種。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述基底的材料是玻璃、金屬、聚合物或半導(dǎo)體。

16.一種光伏器件，包括：

如權(quán)利要求1-15中任一項所述的光學(xué)組件，所述光學(xué)組件的基底是透明的；以及

太陽能電池，位于所述基底的未設(shè)置所述第一抗反射層的一側(cè)。

17.一種制造光學(xué)組件的方法，包括：

a.提供基底；以及

b.形成第一抗反射層，所述第一抗反射層包括顆粒陣列以及填充介質(zhì)，其中，所述填充介質(zhì)至少部分地填充所述顆粒陣列的多個顆粒之間的空隙。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述步驟a和所述步驟b之間還包括：

c.形成第二抗反射層，所述第二抗反射層包括形成于所述基底上的多孔氧化硅膜層、氟化鎂膜層、介孔二氧化硅顆粒層、或者蛾眼結(jié)構(gòu)膜層。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二抗反射層是多孔氧化硅膜層，所述步驟c包括：

c1.提供二氧化硅懸浮液；

c2.將所述基底浸入所述二氧化硅懸浮液；以及

c3.從所述二氧化硅懸浮液提拉出所述基底。