[發(fā)明專利]絕緣體上硅結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210507579.1
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN102945851A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李樂
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，包括：

第一硅層；

形成于所述第一硅層上的第一掩埋氧化物層；

形成于所述第一掩埋氧化物層上的第二硅層；

形成于所述第二硅層上的第二掩埋氧化物層；以及

形成于所述第二掩埋氧化物層上的第三硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一掩埋氧化物層的厚度大于所述第二掩埋氧化物層的厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一掩埋氧化物層的厚度范圍為0.1μm~2μm。

4.如權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二掩埋氧化物層的厚度范圍為

5.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

如權(quán)利要求1至4任意一項所述的絕緣體上硅結(jié)構(gòu)；

形成于所述第三硅層上的柵極結(jié)構(gòu)；以及

形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第三硅層內(nèi)的源極和漏極。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：

形成于所述第三硅層上的柵極氧化層；以及

形成于所述柵極氧化層上的多晶硅柵極。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的淺溝道隔離槽，所述淺溝道隔離槽貫穿所述第三硅層和所述第二掩埋氧化物層，并與所述第二硅層接觸。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述淺溝道隔離槽中的金屬插件，所述金屬插件貫穿所述淺溝道隔離槽，并與所述第二硅層接觸。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬插件和所述多晶硅柵極通過連接線連接。