[發明專利]X光偵測裝置

有效

• 申請號: 201210507442.6
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103855172B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 吳智濠
• 申請（專利權）人: 群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種X光偵測裝置，包括：

一薄膜晶體管層，包含多條資料線以及多條掃描線交叉排列所定義的多個像素區域，每一像素區域并包含一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

一基板；

一柵極，位于該基板上；

一柵極絕緣層，位于該柵極上；

一半導體層，位于該柵極絕緣層上，且該半導體層部份覆蓋該柵極；

一阻擋層，位于該半導體層上；

一源極與一漏極，各自位于該阻擋層上的相對兩側，其中該源極通過一第一導電孔與該半導體層電性連接，該漏極通過一第二導電孔與該半導體層電性連接，且該第一導電孔與該第二導電孔位于該半導體層處分別設有一底部，所述底部的至少一者垂直投影于該基板的投影面與該柵極垂直投影于該基板的投影面具有不重疊的區域；以及

一保護層，覆蓋該源極以及該漏極；以及

一光電二極管陣列層，具有多個光電二極管，每一光電二極管電性連接至其對應的該薄膜晶體管。

2.如權利要求1所述的X光偵測裝置，其中該半導體層為金屬氧化物半導體層，而該金屬氧化物半導體層的材料包含銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物。

3.如權利要求1所述的X光偵測裝置，其中該第一導電孔底部以及該第二導電孔底部的至少一者垂直投影于該基板的投影面與該柵極垂直投影于該基板的投影面的重疊區域寬度大于等于1μm，且小于該第一導電孔底部或該第二導電孔底部垂直投影于該基板的投影面的寬度。

4.如權利要求1所述的X光偵測裝置，其中該漏極通過一第三導電孔與該資料線電性連接。

5.如權利要求1所述的X光偵測裝置，其中該光電二極管陣列層上還設置有一閃爍層以及一反射層，其中該閃爍層位于該光電二極管陣列層上，該反射層位于該閃爍層上。

6.一種X光偵測裝置，包括：

一薄膜晶體管層，包含多條資料線以及多條掃描線交叉排列所定義的多個像素區域，每一像素區域并包含一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

一基板；

一柵極，位于該基板上；

一柵極絕緣層，位于該柵極上；

一半導體層，位于該柵極絕緣層上，且該半導體層垂置投影于該柵極的投影面寬度小于該柵極垂置投影于該基板的投影面寬度；

一阻擋層，位于該半導體層上；

一源極與一漏極，各自位于該阻擋層上的相對兩側，其中該源極通過一第一導電孔與該半導體層電性連接，該漏極通過一第二導電孔與該半導體層電性連接，且該第一導電孔與該第二導電孔位于該半導體層處分別設有一底部，所述底部的至少一者垂直投影于該基板的投影面與該半導體層垂直投影于該基板的投影面具不重疊的區域；以及

一保護層，覆蓋該源極以及該漏極；以及

一光電二極管陣列層，具有多個光電二極管，每一光電二極管電性連接至其對應的該薄膜晶體管。

7.如權利要求6所述的X光偵測裝置，其中該第一導電孔底部以及該第二導電孔底部的至少一者垂直投影于該基板的投影面與該半導體層垂直投影于該基板的投影面的重疊區域寬度大于等于1μm，且小于該第一導電孔底部或該第二導電孔底部垂直投影于該柵極絕緣層的投影面寬度。

8.如權利要求6所述的X光偵測裝置，其中該半導體層為金屬氧化物半導體層，而該金屬氧化物半導體層的材料是銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物。

9.如權利要求6所述的X光偵測裝置，其中該光電二極管陣列層上還設置有一閃爍層以及一反射層，其中該閃爍層位于該光電二極管陣列層上，該反射層位于該閃爍層上。

10.如權利要求6所述的X光偵測裝置，其中該漏極是通過一第三導電孔與一資料線電性連接。