[發明專利]頂發光型有機電致發光器件、其制備方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 201210507397.4 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN103000814A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 王玉林;于軍勝 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 有機 電致發光 器件 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種頂發光型有機電致發光器件,包括基板,在所述基板上由下到上依次具有作為陽極的第一電極、有機材料層、作為陰極的第二電極以及密封層,其特征在于,所述第二電極具體包括:
半透明電極層,以及與所述半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層;
所述非透明電極層的圖案與所述有機材料層確定的像素單元之間的間隙處相對。
2.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明電極層由多個條狀電極組成,各所述條狀電極位于相鄰列的像素單元之間的間隙處,和/或位于相鄰行的像素單元之間的間隙處。
3.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明電極層位于所述半透明電極層與所述有機材料層之間,和/或位于所述半透明電極層與所述密封層之間。
4.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明電極層的厚度為1-2微米。
5.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述半透明電極層的材料為Ag、Mg、Al、AgMg合金、AgAl合金、ITO或ZnSnO;
所述非透明電極層的材料為Ag、Mg、Al、Mo、Cr、Au、Cu及其合金。
6.如權利要求1-5任一項所述的器件,其特征在于,所述第二電極還包括:光學增透層,所述光學增透層位于所述第二電極的膜層結構的頂層。
7.如權利要求6所述的器件,其特征在于,所述光學增透層的厚度在10-100nm之間。
8.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求1-7任一項所述的頂發光型有機電致發光器件。
9.一種如權利要求1所述的頂發光型有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括:
在基板上形成作為陽極的第一電極以及與所述第一電極電性相連的補償電路;
在所述第一電極上的各像素單元之間的間隙處形成絕緣層的圖案;
在所述第一電極上的各像素單元內形成有機材料層;
在所述有機材料層上形成半透明電極層,以及與所述半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層;所述半透明電極層和至少一層非透明電極層組成作為陰極的第二電極;
在所述第二電極上形成密封層。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,在所述第二電極上形成密封層之前,還包括:
在所述半透明電極層和非透明電極層上形成光學增透層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





