[發明專利]一種碳膜輔助的太陽能選擇性吸收膜系及其制備方法有效
| 申請號： | 201210507208.3 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN103017384A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 陸衛;陳飛良;王少偉;俞立明;劉星星;郭少令;陳效雙;王曉芳 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所;上海德福光電技術有限公司 |
| 主分類號： | F24J2/48 | 分類號： | F24J2/48;C23C14/06;C23C14/10;B32B9/04 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 輔助 太陽能 選擇性 吸收 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳膜輔助的太陽能選擇性吸收膜系，其特征在于：所述的太陽能選擇性吸收膜系結構為：在金屬基片（1）上依次為主吸收膜氮氧化鈦（2），副吸收膜無定形碳（3），氮化硅薄膜（4）以及二氧化硅薄膜（5），其中：
所述的金屬基片（1）是Cu箔片，Al箔片，Al箔片、Ni箔片或在不銹鋼箔片上沉積一層Cu薄膜，或在Al箔片、Ni箔片、不銹鋼箔片或Cu箔片上沉積一層紅外高反射的Ag薄膜；優選的，采用Cu箔片上沉積一層紅外高反射的Ag薄膜；
所述的主吸收膜為氮氧化鈦（2）TiNxOy薄膜，Ti、N、O三種元素的原子比范圍為Ti:N:O=1:0.5~1:0.5~2，厚度為50nm～150nm；
所述的副吸收膜無定形碳（3）厚度為20nm～100nm；
所述的氮化硅薄膜（4）厚度為20nm～60nm；
所述的二氧化硅薄膜（5）厚度為50nm～150nm。
2.一種如權利要求書1所述的碳膜輔助的太陽能選擇性吸收膜系的制備方法，其特征在于：
所述的主吸收膜氮氧化鈦（2）的制備方法為磁控濺射鍍膜，采用金屬Ti靶材，同時以氮氣和氧氣兩種反應氣體進行反應濺射；或采用TiN陶瓷靶材，以氧氣作為反應氣體進行反應濺射；或采用按預先設定的Ti、N、O三種元素原子比燒結好的TiNxOy陶瓷靶材，直接進行濺射鍍膜；
所述的副吸收膜無定形碳（3）的制備采用C靶材進行濺射鍍膜；
所述的氮化硅薄膜（4）的制備采用Si靶材，以氮氣作為反應氣體進行反應濺射，或直接采用Si3N4陶瓷靶材進行濺射鍍膜；
所述的二氧化硅薄膜（5）的制備采用Si靶材，以氧氣作為反應氣體進行反應濺射，或直接采用SiO2陶瓷靶材進行濺射鍍膜。
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