[發(fā)明專利]鰭結(jié)構(gòu)制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210505449.4
• 申請(qǐng)日: 2012-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103854981A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏;許淼;羅軍;李春龍;王桂磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種制造鰭結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上形成初始鰭；

在襯底上形成電介質(zhì)層，以覆蓋初始鰭；

通過(guò)濺射，對(duì)電介質(zhì)層平坦化處理；

進(jìn)一步電介質(zhì)層進(jìn)行回蝕，以露出初始鰭的一部分，該露出部分用作鰭。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在濺射之后且在進(jìn)一步回蝕之前，該方法還包括：進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，進(jìn)行濺射，直到去除了初始鰭頂端的一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，該方法還包括：對(duì)初始鰭的頂端進(jìn)行退火或回蝕，以去除等離子損傷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在進(jìn)一步回蝕之后，該方法還包括：進(jìn)行離子注入，以在初始鰭位于進(jìn)一步回蝕后的電介質(zhì)層的表面下方的部分中形成穿通阻擋部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在形成穿通阻擋部時(shí)，對(duì)于p型器件，進(jìn)行n型注入；而對(duì)于n型器件，進(jìn)行p型注入。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在進(jìn)形成穿通阻擋部之后，該方法還包括：

在電介質(zhì)層上形成橫跨鰭的犧牲柵堆疊；

以犧牲柵堆疊為掩模，選擇性刻蝕初始鰭，直至穿通阻擋部露出；

在初始鰭的露出部分上形成半導(dǎo)體層，用以形成源/漏區(qū)；以及

形成柵堆疊替代犧牲柵堆疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，對(duì)于p型器件，半導(dǎo)體層帶壓應(yīng)力；而對(duì)于n型器件，半導(dǎo)體層帶拉應(yīng)力。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，襯底包括Si，初始鰭通過(guò)對(duì)襯底進(jìn)行構(gòu)圖而形成，半導(dǎo)體層包括SiGe或Si:C。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在形成半導(dǎo)體層時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行原位摻雜。