[發(fā)明專利]平坦化處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210505359.5
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN103854965A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏;羅軍;李春龍;鄧堅(jiān);趙超
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/321
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種對(duì)襯底上形成的材料層進(jìn)行平坦化的方法，包括：

在材料層中對(duì)于濺射的負(fù)載條件較高的區(qū)域中形成溝槽；以及

對(duì)材料層進(jìn)行濺射，以使材料層平坦。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述襯底上形成有特征，所述材料層形成于襯底上覆蓋所述特征，以及

所述材料層中由于之下的特征而存在的凸起部分對(duì)應(yīng)于所述負(fù)載條件較高的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述襯底上形成有非均勻分布的多個(gè)特征，并且特征分布較密的區(qū)域形成的溝槽數(shù)多于特征分布較疏的區(qū)域形成的溝槽數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，特征分布較疏的區(qū)域形成的溝槽數(shù)為零。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，根據(jù)用來形成所述特征的掩模，來設(shè)計(jì)用來形成溝槽的掩模。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用Ar或N等離子體進(jìn)行濺射。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述特征包括鰭，所述材料層包括電介質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在濺射之后，該方法還包括：

進(jìn)一步回蝕材料層，以露出鰭。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在進(jìn)一步回蝕之后，該方法還包括：進(jìn)行離子注入，以在鰭位于進(jìn)一步回蝕后的材料層的表面下方的部分中形成穿通阻擋層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在離子注入之后，該方法還包括：

在材料層上形成橫跨鰭的犧牲柵堆疊；

以犧牲柵堆疊為掩模，選擇性刻蝕鰭，直至露出穿通阻擋層；

在鰭的露出部分上形成半導(dǎo)體層，用以形成源/漏區(qū)；以及

形成柵堆疊替代犧牲柵堆疊。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述特征包括鰭，所述材料層包括柵導(dǎo)體層，所述柵導(dǎo)體層介由柵介質(zhì)層覆蓋鰭。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，

形成犧牲柵堆疊包括：

在材料層上形成犧牲柵介質(zhì)層；

在犧牲柵介質(zhì)層上形成犧牲柵導(dǎo)體層；

對(duì)犧牲柵導(dǎo)體層進(jìn)行平坦化，并構(gòu)圖；以及

在構(gòu)圖后的犧牲柵導(dǎo)體的側(cè)壁上形成側(cè)墻，

其中，對(duì)犧牲柵導(dǎo)體層進(jìn)行平坦化包括：

在犧牲柵導(dǎo)體層中對(duì)于濺射的負(fù)載條件較高的區(qū)域中形成溝槽；以及

對(duì)犧牲柵導(dǎo)體層進(jìn)行濺射，以使?fàn)奚鼥艑?dǎo)體層平坦。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，犧牲柵導(dǎo)體層中由于之下的鰭而存在的凸起部分對(duì)應(yīng)于負(fù)載條件較高的區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述襯底上形成有非均勻分布的多個(gè)鰭，并且鰭分布較密的區(qū)域在犧牲柵導(dǎo)體層中形成的溝槽數(shù)多于鰭分布較疏的區(qū)域在犧牲柵導(dǎo)體層中形成的溝槽數(shù)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，鰭分布較疏的區(qū)域在犧牲柵導(dǎo)體層中形成的溝槽數(shù)為零。