[發明專利]液晶顯示裝置、多晶硅陣列基板及制作方法有效
| 申請號： | 201210505247.X | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN103018974A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 辛燕霞;樸承翊;楊玉清;石天雷;楊慧光 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 液晶 顯示裝置 多晶 陣列 制作方法 | ||
1.一種多晶硅陣列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，還包括：與所述多晶硅TFT的有源層同層設置的像素電極，與所述多晶硅TFT的柵極同層設置的公共電極，所述公共電極與所述像素電極相對設置，所述公共電極和像素電極兩者中位于上方的電極為狹縫狀電極。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT為頂柵型TFT，所述公共電極為狹縫狀電極。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT為底柵型TFT，所述像素電極為狹縫狀電極。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極上方或下方設置有與所述公共電極接觸的公共電極線。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源電極及所述漏電極的厚度為
6.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
形成多晶硅有源層和像素電極；
形成柵極絕緣層；
形成柵極和公共電極；
形成有源層摻雜區域；
形成源電極用孔，漏電極用孔以及像素電極過孔；
形成源電極及漏電極，所述漏電極與所述像素電極通過所述像素電極過孔相連接。
8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括在所述基板上形成緩沖層。
9.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述公共電極上方或下方設置有與所述公共電極接觸的公共電極線。
10.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源電極及所述漏電極之后，還包括：形成鈍化層，通過一次構圖工藝形成外圍連接孔。
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