[發明專利]制備GaN厚膜垂直結構LED的方法無效
| 申請號： | 201210505214.5 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102969410A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 羊建坤;魏同波;胡強;霍自強;段瑞飛;王軍喜 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 gan 垂直 結構 led 方法 | ||
1.一種制備GaN厚膜垂直結構LED的方法，其特征在于，包括：
在襯底的拋光面制備掩模圖形，得到圖形化的襯底，所述掩模圖形將所述襯底的拋光面分割為若干個分離的區域；
在所述圖像化的襯底上沉積n型摻雜的GaN厚膜，該GaN厚膜的厚度應當大于掩膜圖形的厚度；以及
在所述GaN厚膜上外延生長多周期量子阱LED。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底的拋光面制備掩模圖形的步驟中，所述分離區域的面積小于1mm2。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩模圖形的線條寬度介于40μm至100μm之間。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜圖形為均勻分布的正方形格子。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底的拋光面制備掩模圖形的步驟中，所述掩膜圖形的厚度介于100nm至500nm之間；
所述在圖像化的襯底上沉積n型摻雜的GaN厚膜的步驟中，所述GaN厚膜的厚度在1μm以上。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述n型摻雜的GaN厚膜中，n型摻雜的摻雜源為硅烷，GaN中載流子濃度大于1018cm-3。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在GaN厚膜上外延生長多周期量子阱LED的步驟之后還包括：
將所述多量子阱LED鍵合至金屬基板上，采用激光剝離襯底；以及
在所述n-GaN厚膜上制作上電極，在與所述多量子阱LED鍵合的金屬基板上制作下電極。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在襯底的拋光面制備掩模圖形的步驟中，所述襯底為雙面拋光的襯底。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述襯底的材料選自于以下群組其中之一：藍寶石、SiC和Si。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述掩膜圖形的材料選自于以下群組其中之一：SiO2、金屬鎢和TiN。
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