[發明專利]倒置頂發射的有機電致發光裝置及其制備方法有效
| 申請號: | 201210504828.1 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN103855312A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;馮小明;張振華 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518052 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 置頂 發射 有機 電致發光 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種倒置頂發射的有機電致發光裝置,包括依次層疊結合的襯底層、陰極層、有機功能層和陽極層,其特征在于:所述有機功能層包括電子傳輸層和在外加電源驅動下發光的發光層,所述電子傳輸層層疊結合在所述陰極層與發光層之間,所述電子傳輸層為若干摻雜劑層與電子傳輸基質材料層交替層疊后經滲透摻雜處理形成的摻雜層結構。
2.根據權利要求1所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置,其特征在于:所述摻雜劑層的厚度為0.5~5nm。
3.根據權利要求1所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置,其特征在于:所述電子傳輸基質材料層的厚度為5~20nm。
4.根據權利要求1~3任一項所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置,其特征在于:所述電子傳輸層的厚度為20~80nm。
5.根據權利要求1~3任一項所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置,其特征在于:所述摻雜劑層中的摻雜劑為堿金無機化合物。
6.根據權利要求5所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置,其特征在于:所述堿金無機化合物為堿金屬氟化物、堿金屬碳酸化合物、堿金屬疊氮化合物、堿金屬氮化物、堿金屬碘化物中的至少一種。
7.根據權利要求1~3任一項所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置,其特征在于:所述電子傳輸基質材料層中的電子傳輸基質材料為(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-羥基)鋁中的至少一種。
8.如權利要求1~7任一項所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置制備方法,包括制備所述電子傳輸層的步驟,所述電子傳輸層的制備方法包括如下步驟:
在所述陰極層的與襯底層相結合面相對的表面蒸鍍堿金屬無機化合物,形成第一摻雜劑層;
在所述第一層摻雜劑層外表面蒸鍍有機電子傳輸基質材料,形成第一電子傳輸基質材料層;
在所述第一電子傳輸基質材料層外表面重復制備第一摻雜劑層和第一電子傳輸基質材料層的步驟,使得制備的若干摻雜劑層和電子傳輸基質材料層交替層疊結合,形成電子傳輸層前驅體;
在保護性氣體環境中,將所述電子傳輸層前驅體在70~180℃下熱處理10~30min,冷卻,得到所述電子傳輸層。
9.如權利要求8所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置制備方法,其特征在于,所述電子傳輸基質材料的蒸鍍速率為0.05~0.5nm/s,摻雜劑的蒸鍍速率為0.01~0.2nm/s。
10.如權利要求8所述的倒置頂發射的有機電致發光裝置制備方法,其特征在于,所述電子傳輸層前驅體的熱處理溫度是以5~20℃/min加熱速率升溫至70~180℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





