[發(fā)明專利]半胱氨酸表面修飾的CdTe或CdTe/CdS量子點(diǎn)的制備及用其檢測砷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210502516.7
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN102994092A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王柯敏;羊小海;劉艷;劉劍波;王青
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南大學(xué)
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;G01N21/64
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所 43008
• 代理人: 趙洪;楊斌

1.一種半胱氨酸表面修飾的CdTe量子點(diǎn)的制備方法，包括以下步驟：

（1）制備Cd前體溶液：室溫條件下，將含鎘化合物粉末與半胱氨酸按照1︰（0.5～8.0）的摩爾比混合，充分?jǐn)嚢枋够旌衔锶芙庥谒校瑢H值調(diào)節(jié)至9.0～11.2，得到Cd前體溶液；

（2）生成H₂Te：氮?dú)獗Ｗo(hù)下，在Te粉中加入NaBH₄水溶液，震蕩使之混合均勻，反應(yīng)至Te粉全部溶解，再注入酸液進(jìn)行酸化，在氮?dú)饬鞯淖饔孟拢瑢⑺峄a(chǎn)生的H₂Te氣體帶出；

（3）將步驟（2）中生成的H₂Te氣體通入到步驟（1）中制得的Cd前體溶液中；控制溶液中Cd、Te、半胱氨酸的摩爾比為1︰（0.1～4）︰（0.5～8），加熱到80℃～110℃，反應(yīng)回流，反應(yīng)完成后停止加熱，得到半胱氨酸表面修飾的CdTe量子點(diǎn)溶液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半胱氨酸表面修飾的CdTe量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于：所述含鎘化合物粉末為Cd(ClO₄)₂、CdCl₂或CdAc₂粉末。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半胱氨酸表面修飾的CdTe量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于：所述酸液為0.5mol/L～5.0mol/L的硫酸或者磷酸溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半胱氨酸表面修飾的CdTe量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，用1.0mol/L～4.0mol/L?的NaOH溶液進(jìn)行pH值調(diào)節(jié)。

5.一種半胱氨酸表面修飾的CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)的制備方法，包括以下步驟：在室溫條件下，向權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述制備方法得到的半胱氨酸表面修飾的CdTe量子點(diǎn)溶液中加入0.01mol/L～1.0mol/L的Na₂S溶液，所述Te與所述Na₂S的摩爾比控制在1∶（0.2～5），靜置后即可制備得到不同熒光發(fā)射波長的半胱氨酸表面修飾的CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半胱氨酸表面修飾的CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于：所述半胱氨酸表面修飾的CdTe量子點(diǎn)為熒光發(fā)射波長在500nm～550nm的綠色熒光CdTe量子點(diǎn)。

7.一種基于半胱氨酸表面修飾的CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)檢測砷離子的方法，包括以下步驟：將半胱氨酸表面修飾的CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)稀釋，以磷酸緩沖液作為緩沖體系加入含不同濃度三價砷離子的溶液，混合均勻后室溫下靜置，然后用熒光分光光度計對混合體系進(jìn)行熒光定量表征，得到所述半胱氨酸表面修飾的CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)對于砷離子濃度變化的熒光響應(yīng)曲線，根據(jù)熒光響應(yīng)曲線即可實(shí)現(xiàn)對待測溶液中三價砷離子濃度的定性或定量檢測。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述熒光響應(yīng)曲線在待測溶液中三價砷離子濃度為14ng/L～70ng/L時呈線性變化，所述定量檢測的檢測下限為10ng/L。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于：所述待測溶液中加入有乙二胺四乙酸鈉鹽作為掩蔽劑，所述乙二胺四乙酸鈉鹽的濃度為0.01mol/L～0.5mol/L。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于：在對待測溶液中三價砷離子濃度進(jìn)行定性或定量檢測前，先將待測溶液用0.10μm～0.22μm的聚碳酸酯膜過濾。