[發(fā)明專利]包括具有漂移區(qū)和漂控區(qū)的半導體器件的半導體器件布置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210502298.7
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN103137704A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F.希爾勒
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;李浩

1.?一種包括半導體器件的半導體器件布置，所述半導體器件包括；

源區(qū)、漏區(qū)、體區(qū)以及漂移區(qū)，在半導體本體中，所述漂移區(qū)被布置在所述體區(qū)與所述漏區(qū)之間且所述體區(qū)被布置在所述源區(qū)與所述漂移區(qū)之間；

柵電極，其鄰近于所述體區(qū)且被柵極電介質(zhì)與所述體區(qū)介電絕緣；

漂移控制區(qū)，其鄰近于所述漂移區(qū)且被漂移控制區(qū)電介質(zhì)與所述漂移區(qū)介電絕緣；

與所述漏區(qū)的摻雜類型互補的摻雜類型的注入?yún)^(qū)；

漏電極，其毗鄰所述漏區(qū)；以及

與所述漏區(qū)為相同摻雜類型但被更緩慢地摻雜的注入控制區(qū)，其中，所述注入控制區(qū)毗鄰所述漂移控制區(qū)電介質(zhì)，沿著所述漂移控制區(qū)在第一方向上延伸，并且在所述第一方向上毗鄰所述漏區(qū)并且在不同于所述第一方向的第二方向上毗鄰所述注入?yún)^(qū)。

2.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述注入?yún)^(qū)毗鄰所述漏電極。

3.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述漏電極包括導電材料和半導體襯底中的一個。

4.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

5.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述漏區(qū)毗鄰所述漂移控制區(qū)電介質(zhì)。

6.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述第一方向?qū)?yīng)于所述漂移區(qū)中的所述半導體器件的電流流動方向。

7.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述第一方向?qū)?yīng)于垂直于所述漂移區(qū)中的所述半導體器件的電流流動方向的方向。

8.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，還包括與所述漏區(qū)為相同摻雜類型但比分別布置在所述漂移區(qū)與所述注入?yún)^(qū)和所述注入控制區(qū)之間的所述漂移區(qū)更高度地摻雜的場截止層。

9.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述半導體器件被實現(xiàn)為垂直半導體器件，其中，所述漂移區(qū)具有垂直方向、第一水平方向和不同于所述第一水平方向的第二水平方向，所述第一和第二水平方向垂直于所述垂直方向。

10.?權(quán)利要求9的半導體器件布置，其中，所述第一方向?qū)?yīng)于所述垂直方向。

11.?權(quán)利要求10的半導體器件布置，其中，所述第二方向?qū)?yīng)于所述漂移區(qū)的所述第一水平方向。

12.?權(quán)利要求11的半導體器件布置，其中，所述第一水平方向垂直于所述漂移控制區(qū)電介質(zhì)與所述漂移區(qū)之間的界面。

13.?權(quán)利要求10的半導體器件布置，其中，所述第二方向?qū)?yīng)于所述漂移區(qū)的所述第二水平方向。

14.?權(quán)利要求13的半導體器件布置，其中，所述第二水平方向平行于所述漂移控制區(qū)電介質(zhì)與所述漂移區(qū)之間的界面。

15.?權(quán)利要求10的半導體器件布置，其中，所述第一方向?qū)?yīng)于所述第一水平方向且所述第二方向?qū)?yīng)于所述垂直方向，所述第一水平方向平行于所述漂移控制區(qū)電介質(zhì)與所述漂移區(qū)之間的界面。

16.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述注入控制區(qū)的摻雜濃度對應(yīng)于所述漂移區(qū)的摻雜濃度。

17.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述注入控制區(qū)的摻雜濃度不同于所述漂移區(qū)的摻雜濃度。

18.?權(quán)利要求17的半導體器件布置，其中，所述注入控制區(qū)的摻雜濃度高于所述漂移區(qū)的摻雜濃度。

19.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，還包括被耦合到所述漂移控制區(qū)的偏置源。

20.?權(quán)利要求1的半導體器件布置，其中，所述柵電極毗鄰所述漂移控制區(qū)或毗鄰與所述源區(qū)的摻雜類型互補的摻雜類型的半導體區(qū)，所述半導體區(qū)毗鄰所述漂移控制區(qū)。