[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201210501358.3 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN103855320A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子器件相關領域,尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時,發光層就產生光輻射。
OLED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點,被業內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術,OLED技術在過去的十多年里發展迅猛,取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發,大大的推動了OLED的產業化進程,使得OLED產業的成長速度驚人,目前已經到達了大規模量產的前夜。
傳統技術中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝,其邊沿用紫外聚合樹脂密封,但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大,增加了器件的重量,并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。
發明內容
為克服上述現有技術的缺陷,本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法。該有機電致發光器件可有效地減少水汽、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕,保護有機電致發光器件的有機功能材料和電極免遭破壞,對器件的壽命有顯著的提高。本發明方法適用于封裝以導電玻璃基板制備的有機電致發光器件。本發明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發光器件。
一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,
包括依次層疊的基板、陽極、功能層、陰極、封裝層和封裝蓋,基板和封裝蓋形成封閉空間,陽極、功能層、陰極、封裝層容置在該封閉空間內,所述封裝層依次包括保護層、碳氮化合物膜、氟化物膜、有機阻擋層、濕氣吸收層和散熱層;
所述碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜,其中,所述碳化物材料為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿,所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦,所述碳化物與所述氮化物的質量比為1:6~14:19;所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥。
優選地,所述碳氮化合物膜的厚度為80nm~150nm;所述氟化物膜的厚度為80nm~150nm。
優選地,所述保護層的材料為酞菁銅、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅,保護層的厚度為200nm~300nm;
所述有機阻擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環脂肪環氧樹脂,所述有機阻擋層的厚度為1μm~1.5μm。
優選地,所述濕氣吸收層的材料為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂,所述濕氣吸收層的厚度為100nm~200nm;
所述散熱層的材料為鋁、銀、銅或他們的組合物,厚度為200nm~500nm;及
所述封裝蓋為金屬薄片,金屬薄片的材料為銀、鋁或銅。
優選地,所述碳氮化合物膜與所述氟化物膜交替層疊設置,層疊層數大于等于三層。
本發明另一方面提供一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
在潔凈的玻璃基板或有機薄膜基板上制備有機電致發光器件的陽極;采用真空蒸鍍的方法在陽極導電基板上依次制備功能層、陰極和封裝層,采用紫外光固化方式將封裝蓋進行封裝,使所述基板和所述封裝蓋形成封閉空間;
所述封裝層的制備包括首先在陰極上采用真空蒸鍍的方式制備所述保護層;
在所述保護層上采用磁控濺射共濺制備所述碳氮化合物膜,其中,所述碳化物材料為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿,所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦,所述磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統,設置本底真空度為1×10-5Pa~1×10-3Pa,膜層厚度設置為80nm~150nm,將所述碳化物與所述氮化物的質量比為1:6~14:19作為靶材,在濺射速率為5nm/min~40nm/min條件下進行磁控濺射得到碳氮化合物膜,再在所述碳氮化合物膜上通過真空蒸發的方式制備所述氟化物膜,所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥,所述真空蒸發的方式為真空度8×10-5Pa~3×10-5Pa,蒸發速度
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





