[發明專利]優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法有效
| 申請號： | 201210501020.8 | 申請日： | 2012-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN102983096A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 許進;王國兵;唐在峰;呂煜坤;張旭昇 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 優化 隔離 刻蝕 工藝 方法 | ||
1.一種優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
在對淺槽隔離進行頂部刻蝕時，調整刻蝕時間以獲得不同刻蝕時間下的不同頂部圓化弧度形貌的淺溝槽；
對不同刻蝕時間下得到的不同頂部圓化弧度形貌的淺溝槽進行頂部圓化弧度測量，建立淺溝槽頂部圓化弧度與刻蝕時間之間的對應關系；
根據器件的電性規格與淺溝槽頂部圓化弧度之間的趨勢，得到不同電性規格的器件實際對應的淺溝槽頂部圓化弧度；
根據不同電性規格的器件實際對應的淺溝槽頂部圓化弧度以及淺溝槽頂部圓化弧度與刻蝕時間之間的對應關系，計算并調節刻蝕時間，以精確控制并穩定器件的淺溝槽頂部圓化弧度。
2.如權利要求1所述的優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法，其特征在于，所述頂部圓化弧度測量采用的是光學線寬測量儀。
3.如權利要求1所述的優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法，其特征在于，所述電性規格指的是器件的擊穿電壓。
4.如權利要求1所述的優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法，其特征在于，所述淺溝槽頂部圓化弧度與刻蝕時間之間的對應關系由以下公式定義：
T=b*H;
其中，T為刻蝕時間；H為淺溝槽頂部圓化弧度；b為計算系數。
5.如權利要求4所述的優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法，其特征在于，所述器件的電性規格與淺溝槽頂部圓化弧度之間的趨勢由以下公式定義：
H=a*W;
其中，H為淺溝槽頂部圓化弧度；W為器件的電性規格；a為計算系數。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
