[發明專利]一種逆導型IGBT器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210500942.7
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN103855198A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 張文亮;朱陽軍;田曉麗;胡愛斌;盧爍今
• 申請（專利權）人: 上海聯星電子有限公司;中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種逆導型IGBT器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

形成于所述半導體襯底下表面內的集電極，所述集電極包括并列設置的集電區和短路區；

形成于所述集電極表面的鋁金屬層，所述鋁金屬層至少覆蓋所述集電區；

形成于所述鋁金屬層表面的鈦金屬層，所述鈦金屬層完全覆蓋所述集電區和短路區。

2.根據權利要求1所述的逆導型IGBT器件，其特征在于，所述短路區的形成工藝為普通退火時，所述鋁金屬層只覆蓋所述集電區。

3.根據權利要求2所述的逆導型IGBT器件，其特征在于，所述鈦金屬層形成于所述鋁金屬層和所述短路區表面，且完全覆蓋所述集電區表面的鋁金屬層和所述短路區。

4.根據權利要求1所述的逆導型IGBT器件，其特征在于，所述短路區的形成工藝為激光退火時，所述鋁金屬層完全覆蓋所述集電區和短路區。

5.根據權利要求4所述的逆導型IGBT器件，其特征在于，所述鈦金屬層形成于所述鋁金屬層表面，且完全覆蓋所述集電區和短路區表面的鋁金屬層。

6.根據權利要求1-5任一項所述的逆導型IGBT器件，其特征在于，所述逆導型IGBT器件為穿通型IGBT器件時，還包括：形成于所述半導體襯底內的緩沖層，且所述緩沖層與所述集電區以及短路區的上表面相鄰。

7.一種逆導型IGBT器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底下表面內形成集電區，所述集電區表面形成有鋁金屬層；

在所述半導體襯底下表面內形成短路區，所述短路區與所述集電區并列形成于所述半導體襯底的下表面內；

在所述鋁金屬層與所述短路區的表面形成鈦金屬層，所述鈦金屬層完全覆蓋所述鋁金屬層和短路區。

8.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述集電區和短路區的形成工藝為普通退火。

9.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述半導體襯底下表面內形成集電區，所述集電區表面形成有鋁金屬層包括：

對所述半導體襯底進行P型離子注入，在所述半導體襯底的下表面內形成P型摻雜層；

在所述P型摻雜層的表面形成鋁金屬層；

將部分半導體襯底內的P型摻雜層和鋁金屬層完全去除，在所述半導體襯底下表面內形成集電區，所述集電區表面形成有鋁金屬層。

10.一種逆導型IGBT器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底下表面內形成并列設置的集電區和短路區；

在所述集電區和短路區表面形成鋁金屬層，所述鋁金屬層完全覆蓋所述集電區和短路區；

在所述鋁金屬層表面形成鈦金屬層，所述鈦金屬層完全覆蓋所述集電區和短路區。

11.根據權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述集電區和短路區的形成工藝為激光退火。

12.根據權利要求7-11任一項所述的形成方法，其特征在于，所述逆導型IGBT器件為穿通型IGBT器件時，在所述半導體襯底下表面內形成集電區之前還包括：在所述半導體襯底內形成緩沖層，且所述緩沖層與所述集電區和短路區的上表面相鄰。