[發(fā)明專利]LED小串的控制裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210500840.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103458562A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王弘宗;藍(lán)耀輝;彭元佑 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 主一科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05B37/02 | 分類號(hào): | H05B37/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王雪靜;魏曉波 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | led 控制 裝置 | ||
1.一種LED小串的控制裝置,該LED小串是由復(fù)數(shù)個(gè)串聯(lián)的LED單元組成;其特征在于,該裝置包括:
復(fù)數(shù)個(gè)高壓N型組件,其中每一個(gè)高壓N型組件電性連接至對(duì)應(yīng)的LED單元的電流輸出端;及
復(fù)數(shù)個(gè)低壓限流開關(guān),其中每一個(gè)低壓限流開關(guān)包括一低壓N型組件,電性連接至對(duì)應(yīng)的高壓N型組件,并與對(duì)應(yīng)的LED單元并聯(lián),電流是由高壓N型組件流向?qū)?yīng)的低壓限流開關(guān),而所稱的低壓及高壓是依據(jù)其相對(duì)崩潰電壓而言。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:該LED小串為接地或不接地。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:該高壓N型組件或低壓N型組件為金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或雙載子晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:當(dāng)流經(jīng)低壓限流開關(guān)的導(dǎo)通電流增加或減少時(shí),流經(jīng)對(duì)應(yīng)高壓N型組件的導(dǎo)通電流亦隨之增加或減少。
5.一種LED小串的控制裝置,該LED小串是由復(fù)數(shù)個(gè)串聯(lián)的LED單元組成;其特征在于,該裝置包括:
復(fù)數(shù)個(gè)高壓N型組件,其中每一個(gè)高壓N型組件電性連接至對(duì)應(yīng)的LED單元的電流輸出端;及
復(fù)數(shù)個(gè)低壓限流開關(guān),其中每一個(gè)低壓限流開關(guān)包括一低壓N型組件,電性連接至對(duì)應(yīng)的高壓N型組件,并與對(duì)應(yīng)的LED單元并聯(lián),電流是由高壓N型組件流向?qū)?yīng)的低壓限流開關(guān),而所稱的低壓及高壓是依據(jù)其相對(duì)崩潰電壓而言;
藉此,當(dāng)?shù)蛪合蘖鏖_關(guān)的輸入電流增加時(shí),其中電位最低的低壓限流開關(guān)為開啟,而其它電位較高的低壓限流開關(guān)的導(dǎo)通電流被減少,且流經(jīng)該電位較高的對(duì)應(yīng)高壓N型組件的導(dǎo)通電流亦隨之減少。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于:該LED小串為接地或不接地。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于:該高壓N型組件或低壓N型組件為金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或雙載子晶體管。
8.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于:該低壓限流開關(guān)的開啟或電流變小是經(jīng)由一外部或內(nèi)建的主仆控制器判定。
9.一種LED小串的控制裝置,該LED小串是由復(fù)數(shù)個(gè)串聯(lián)的LED單元組成;其特征在于,該裝置包括:
復(fù)數(shù)個(gè)高壓N型組件,其中每一個(gè)高壓N型組件電性連接至對(duì)應(yīng)的LED單元的電流輸出端;及
復(fù)數(shù)個(gè)低壓限流開關(guān),其中每一個(gè)低壓限流開關(guān)包括一低壓N型組件,電性連接至對(duì)應(yīng)的高壓N型組件,并與對(duì)應(yīng)的LED單元并聯(lián),電流是由高壓N型組件流向?qū)?yīng)的低壓限流開關(guān),而所稱的低壓及高壓是依據(jù)其相對(duì)崩潰電壓而言;
藉此,當(dāng)較高電位的低壓限流開關(guān)接收到較低電位的低壓限流開關(guān)的“電流變小控制訊號(hào)”時(shí),流經(jīng)該較高電位的低壓限流開關(guān)的導(dǎo)通電流減少,使流經(jīng)對(duì)應(yīng)高壓N型組件的導(dǎo)通電流亦隨之減少。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置,其特征在于:該LED小串為接地或不接地。
11.如權(quán)利要求9所述的裝置,其特征在于:該高壓N型組件或低壓N型組件為金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或雙載子晶體管。
12.如權(quán)利要求9所述的裝置,其特征在于:該較高電位的低壓限流開關(guān)是經(jīng)由一主仆控制器,接收到較低電位的低壓限流開關(guān)的“電流變小控制訊號(hào)”。
13.一種LED小串的控制裝置,該LED小串是由復(fù)數(shù)個(gè)串聯(lián)的LED單元組成;其特征在于,該裝置包括:
至少一個(gè)高壓N型組件,其中每一個(gè)高壓N型組件電性連接至對(duì)應(yīng)的LED單元的電流輸出端;及
至少一個(gè)低壓限流開關(guān),其中每一個(gè)低壓限流開關(guān)包括一低壓N型組件,電性連接至對(duì)應(yīng)的高壓N型組件,并與對(duì)應(yīng)的LED單元并聯(lián),電流是由高壓N型組件流向?qū)?yīng)的低壓限流開關(guān),而所稱的低壓及高壓是依據(jù)其相對(duì)崩潰電壓而言;
至少一個(gè)電壓或電流偵測電路,用以偵測對(duì)應(yīng)的LED單元至對(duì)應(yīng)的低壓限流開關(guān)的路徑上的電壓或電流;
藉此,當(dāng)所偵測的電壓或電流大于一預(yù)設(shè)值時(shí),對(duì)應(yīng)的低壓限流開關(guān)被關(guān)閉,或者,當(dāng)所偵測的電壓或電流小于該預(yù)設(shè)值時(shí),對(duì)應(yīng)的低壓限流開關(guān)為開啟。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置,其特征在于:該LED小串為接地或不接地。
15.如權(quán)利要求13所述的裝置,其特征在于:該高壓N型組件或低壓N型組件為金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或雙載子晶體管。
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