[發明專利]減薄器件層的方法以及襯底的制備方法有效
| 申請號： | 201210500197.6 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102983074A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 王文宇;陳國興;曹共柏;魏星;鄭健 | 申請（專利權）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孫佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 器件 方法 以及 襯底 制備 | ||
1.一種減薄器件層的方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一復合襯底，所述復合襯底包括支撐層、支撐層表面的絕緣埋層以及絕緣埋層表面的器件層；
采用熱氧化法在器件層和支撐層表面形成相同厚度的第一和第二熱氧化層；
采用單面研磨法減薄器件層表面的第一熱氧化層至預定厚度；
同時減薄器件層和支撐層表面的第一和第二熱氧化層，至器件層表面的第一熱氧化層全部被除去，而支撐層表面保留有減薄后的第二熱氧化層。
2.根據權利要求1所述的減薄器件層的方法，其特征在于，所述支撐層和器件層的材料均為單晶硅，所述第一和第二熱氧化層的材料均為氧化硅。
3.根據權利要求1所述的減薄器件層的方法，其特征在于，所述單面研磨進一步是采用化學機械拋光工藝。
4.根據權利要求1所述的減薄器件層的方法，其特征在于，所述同時減薄器件層和支撐層表面的第一和第二熱氧化層的步驟，進一步是通過腐蝕液同時腐蝕第一和第二熱氧化層，至器件層表面的第一熱氧化層恰好全部被除去時停止。
5.根據權利要求1所述的減薄器件層的方法，其特征在于，所述同時減薄器件層和支撐層表面的第一和第二熱氧化層的步驟，進一步是通過雙面研磨法同時研磨第一和第二熱氧化層，至器件層表面的第一熱氧化層恰好全部被除去時停止。
6.根據權利要求5所述的減薄器件層的方法，其特征在于，所述雙面研磨進一步是采用化學機械拋光工藝。
7.一種襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一支撐襯底和一器件襯底；
在支撐襯底和/或器件襯底表面形成絕緣埋層；
以絕緣埋層為中間層，將器件襯底和支撐襯底鍵合在一起，形成復合襯底，所述支撐襯底為復合襯底的支撐層；
減薄器件襯底，形成復合襯底的器件層；
采用熱氧化法在支撐層和器件層表面形成相同厚度的第一和第二熱氧化層；
采用單面研磨法減薄器件層表面的第一熱氧化層至預定厚度；
同時減薄器件層和支撐層表面的第一和第二熱氧化層，至器件層表面的第一熱氧化層全部被除去，而支撐層表面保留有減薄后的第二熱氧化層；
減薄器件層。
8.根據權利要求7所述的襯底的制備方法，其特征在于，所述減薄器件層的步驟，進一步是采用化學機械拋光工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
