[發明專利]一種電解法生產粗化鎳箔的方法

有效

• 申請號: 201210499727.X
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN102995085A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 劉言清
• 申請（專利權）人: 煙臺晨煜電子有限公司
• 主分類號: C25D7/06
• 分類號: C25D7/06;C25F3/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本發明涉及一種電解法生產粗化鎳箔的方法，應用于鎳箔的電解法生產領域。

背景技術

電鍍行業的技術人員都知道，要保證基材上鍍層的牢固性和持久性，僅僅靠單一的粗化是遠遠不夠的。因此，必須送以電流將已經鍍上的粗化鍍層牢牢的封在（或固在）鍍層上

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種選取原料種類少且操作簡單電解法生產粗化鎳箔的方法，它能克服現有技術生產復雜的缺陷并得到一種表面粗糙度大、抗剝離好且延展性好的粗化鎳箔。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種電解法生產粗化鎳箔的方法，包括以下步驟：

步驟一：選取半光亮鎳箔作為粗化鎳箔的基材，并對所述半光亮鎳箔進行活化處理；

步驟二：將步驟一中所述經活化處理后的所述半光亮鎳箔置于由18～25g/L的硫酸鎳和21～23g/L的硫酸銨組成的、且PH值為3.5～4.5的溶液的粗化電解槽中，給所述粗化電解槽的陰極和陽極通電，在所述粗化電解槽進行粗化處理；

步驟三：將步驟二中經粗化處理后的鎳箔置于由200g/L～250g/L的硫酸鎳和40～45g/L的硼酸以及40g/L氯化鎳組成的、且PH值為4～4.5的溶液的固化電解槽中，給所述固化電解槽的陰極和陽極通電，進行固化處理；

步驟四：將步驟三中所述固化處理后的鎳箔烘干。

本發明的有益效果是：首先，半光亮鎳箔的含硫量較低帶正電，在它上面極容易渡上一層含硫量高帶負電的鎳層，且結合效果好，不宜剝離；其次本工藝的選取原料種類少，操作簡單易于實現；生產得到的鎳箔精度高且延展性好。

在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。

進一步，所述步驟一中的活化處理是將所述選取的半光亮鎳箔用活化液為20～25g/L的鹽酸對其表面進行化學腐蝕處理。所述活化液為22g/L的鹽酸。

采用上述進一步方案的有益效果是通過化學腐蝕表面處理，將鎳箔基材活化，易于步驟二中的粗化的進行。

進一步，所述步驟二中粗化處理時所述粗化電解槽中的溶液溫度控制在29℃～31℃，同時PH值維持在3.8～4.0。所述步驟二的粗化過程中通以電流密度為28A/dm²的電流進行電解。

進一步，所述粗化電解槽采用鈦板作為陽極，所述固化電解槽采用鈦板或鎳作為陽極。當固化電解槽使用鎳作為陽極時，將含硫鎳餅或鎳箔下角料置于鈦框內作為陽極。

采用上述進一步方案的有益效果是取代使用不銹鋼，氯離子尤其對不銹鋼腐蝕強烈，并且會使不銹鋼析出六價鉻離子，從而造成系統污染影響鍍層質量，嚴重時（含量超0.01g/L時）會嚴重影響鍍層均勻性和覆蓋能力，引起鍍層起皮、脫皮等問題。而采用鈦陽極會避免以上問題。并且使用含硫鎳餅或鎳箔下角料，減少了銅離子的污染，且充分利用了鎳箔下角料廢品，節約成本。

進一步，所述步驟三的固化過程中通以電流密度為12A/dm²的電流進行電解。

進一步，所述步驟四中的烘干溫度控制在50～70℃。

采用上述進一步方案的有益效果是所得的鎳箔的阻值低，效果好。

進一步，所述步驟二和三的粗化、固化在電鍍上升段都降低原始電流并采用電流密度1.5～2A/dm²的小電流進行鍍層封尖處理。

采用上述進一步方案的有益效果是采用小電流封尖處理，使鍍層堅固，增強鍍層的結合力。

進一步，分別在活化處理、粗化處理、固化處理三個過程中的電解槽回流處通以0.1A/dm²～0.2A/dm²的直流電進行除雜凈化處理。

采用上述進一步方案的有益效果是比較好的除掉雜質離子將系統溶液凈化。

具體實施方式

所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

本發明包括以下步驟：

步驟一：選取半光亮鎳箔作為粗化鎳箔的基材，并對所述半光亮鎳箔進行活化處理；活化處理：通常用機械法或化學方法對工件表面進行處理（機械打磨或小電流腐蝕）。本工藝采用的僅僅是最簡單的配方，不用進行陰/陽極的小電流浸蝕，只是進行普通的預侵蝕也就是電鍍工序技術人員所知的化學浸蝕。