[發明專利]一種納米孔徑多孔膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201210499491.X
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN102983301A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 王保國;陳雨濛;吳旭冉;青格樂圖;郭偉男;范永生
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01M2/18
• 分類號: H01M2/18;H01M2/16
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢

1.一種納米孔徑多孔膜的制備方法，包括如下步驟：

（1）將含有親水性基團和雙鍵的聚合單體和聚偏氟乙烯溶解在有機溶劑中得到鑄膜溶液；

（2）通過流延法將所述鑄膜溶液流延成薄膜；

（3）所述薄膜內的聚合單體發生聚合反應生成低分子聚合物，并使所述薄膜內的有機溶劑揮發除凈；

（4）經步驟（3）處理后的薄膜剝離后置于水溶液中浸漬，除凈所述低分子聚合物后即得到所述納米孔徑多孔膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述含有親水性基團和雙鍵的聚合單體為烯丙基磺酸鹽。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述含有親水性基團和雙鍵的聚合單體與所述聚偏氟乙烯的質量份數比為（1~3）：（5~7）。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述有機溶劑為二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述聚偏氟乙烯與所述有機溶劑的質量份數比為1：（3~15）。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟（2）中，將所述鑄膜溶液在聚碳酸酯薄膜表面上流延成薄膜，所述薄膜的厚度為100～220微米。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟（3）還包括如下步驟：將所述薄膜置于外電場中，使所述聚合單體在所述外電場的作用下進行聚合反應。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述外電場的電極與所述薄膜的表面之間的距離為0.5～1.2毫米；

所述外電場的電壓為0～700伏特，但不為零，所述聚合反應的溫度為60℃～100℃。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟（1）中，所述方法還包括加入引發劑的步驟，所述引發劑為過氧化苯甲酰。

10.權利要求1-9中任一項所述方法制備的納米孔徑多孔膜。