[發明專利]一種發光二極管的制造方法有效
| 申請號： | 201210499489.2 | 申請日： | 2012-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN103855254B | 公開（公告）日： | 2017-05-24 |
| 發明（設計）人： | 朱廣敏;郝茂盛;齊勝利;潘堯波;張楠;陳誠;陳耀;楊杰;袁根如;李士濤 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步驟：
1)提供一半導體襯底，于所述半導體襯底表面依次沉積至少包括N型層、量子阱層、P型層的發光外延結構；
2)刻蝕所述P型層及量子阱層以形成N電極制備區域；
3)于所述P型層表面形成透明導電層，并采用光刻工藝刻蝕所述透明導電層、P型層及量子阱層，以形成多個貫穿至所述N型層的呈周期排列且具有預設孔徑的開孔；所述開孔的孔徑為nλ/4，其中，n取值為1、2、3或4，λ為發光二極管發出光線的主波長；相鄰兩開孔的中心距離為所述開孔孔徑的2～10倍；
4)于所述透明導電層表面制作P電極，于所述N電極制備區域制備N電極。
2.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：各該開孔的周期排列方式為四方陣列排列或六方陣列排列。
3.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述開孔為圓形孔，所述圓形孔的孔徑為圓的直徑。
4.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述開孔為正六邊形孔，所述開孔的孔徑為所述正六邊形外接圓的直徑。
5.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述開孔為正方形孔，所述開孔的孔徑為所述正方形外接圓的直徑。
6.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，在步驟3)中，其特征在于：刻蝕工藝為ICP或RIE。
7.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：步驟4)后還包括從背面對所述半導體襯底進行減薄，并進行背鍍反射層的步驟。
8.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述半導體襯底為藍寶石襯底，所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN層，所述P型層為P-GaN層。
9.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述透明導電層為ITO、ATO、FTO或AZO。
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