[發明專利]晶圓刻蝕后的清洗方法

有效

• 申請號: 201210496738.2
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103854962B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 張海洋;王新鵬;符雅麗
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，包括：

提供晶圓；

在晶圓上形成介質層，所述介質層為疏水性，所述介質層的材料為低k材料或者超低k材料；

于所述介質層中形成貫穿其厚度的通孔；

進行氨氣等離子體處理，所述氨氣等離子體處理的氣體為NH₃、He和Ar的混合氣體，通過氨氣等離子對低k或者超低k介質層表面進行處理時，氨氣等離子不會影響低k或者超低k介質層的k值，且氨氣等離子體中的氫鍵會附著于低k或者超低k介質層表面，使所述介質層的上表面以及通孔暴露出的介質層側壁由疏水性轉化為親水性，使低k或者超低k介質層表面易于與清洗溶液接觸，進而使殘留于低k或者超低k介質層表面的聚合物和污染物隨清洗溶液一起去除；

進行清洗工藝。

2.如權利要求1所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，所述氨氣等離子體處理的壓強為5mTorr～200mTorr，電源功率為100W～1000W，時間為5s～60s，所述混合氣體中NH₃的流量為10sccm～500sccm，He的流量為10sccm～200sccm，Ar的流量為10sccm～200sccm。

3.如權利要求1所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，在所述晶圓上形成介質層之前，還包括：在晶圓上形成停止層。

4.如權利要求3所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，所述停止層的材料為氮化硅。

5.如權利要求3所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，在進行氨氣等離子體處理之后，還包括：去除通孔底部的停止層。

6.如權利要求5所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，去除通孔底部的停止層的方法為干法刻蝕。

7.如權利要求6所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，所述干法刻蝕的壓強為5mTorr～200mTorr，電源功率為100W～1000W，時間為5s～60s，氣體為CH₄、CHF₃、CH₃F、He和Ar的混合氣體，所述混合氣體中CH₄的流量為10sccm～500sccm，CHF₃的流量為10sccm～200sccm，CH₃F的流量為10sccm～100sccm，He的流量為10sccm～200sccm，Ar的流量為10sccm～200sccm。

8.如權利要求1所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于,于所述介質層中形成貫穿其厚度的通孔包括：

在所述介質層上形成掩膜層，所述掩膜層中形成有與通孔形狀對應的掩膜圖形；

沿掩膜圖形刻蝕所述介質層，形成貫穿所述介質層厚度的通孔，在形成通孔的同時去除介質層上部分厚度的掩膜層；

去除介質層上剩余的掩膜層。

9.如權利要求8所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，所述掩膜層為單層結構，所述掩膜層的材料為光刻膠。

10.如權利要求8所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，所述掩膜層為多層結構，位于介質層上的掩膜層由下至上依次包括圖形膜層、介質層抗反射層和光刻膠層。

11.如權利要求10所述的晶圓刻蝕后的清洗方法，其特征在于，所述圖形膜層的材料為無定形碳，所述介質層抗反射層的材料為氮化硅或者氮氧化硅。