[發(fā)明專利]一種氮化硅增韌陶瓷無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210496629.0 | 申請日: | 2012-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103848639A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李東炬 | 申請(專利權(quán))人: | 大連大友高技術(shù)陶瓷有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/80 | 分類號(hào): | C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責(zé)任公司 21212 | 代理人: | 趙淑梅 |
| 地址: | 116000 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 硅增韌 陶瓷 | ||
1.一種氮化硅增韌陶瓷,其特征在于:所述陶瓷的相對密度為98.6%~99.4%、斷裂韌性為10.5MPa·m1/2~11.8MPa·m1/2、維氏硬度為21.8GPa~22.6GPa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷,其特征在于:所述陶瓷的相對密度為99.0~99.4%、斷裂韌性為11.0MPa·m1/2~11.8MPa·m1/2、維氏硬度為22.2GPa~22.6GPa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷,其特征在于:所述陶瓷的相對密度為99.0%、斷裂韌性為11.8MPa·m1/2、維氏硬度為22.0GPa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷,其特征在于:所述陶瓷按下述方法制備,包括混料、球磨和燒結(jié)的步驟,所述混料步驟中,陶瓷原料,按質(zhì)量百分比,由下述組分組成:
β-Si3N4?????????65%~85%
SiC晶須??????????10%~25%
燒結(jié)助劑?????????5%~10%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷,其特征在于:所述燒結(jié)助劑選自Al2O3、MgO、Y2O3、ZrO2中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷,其特征在于:所述陶瓷原料,按質(zhì)量百分比,由下述組分組成:
β-Si3N4??????????70%~80%
SiC晶須1??????????5%~25%
燒結(jié)助劑??????????5%~10%。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷,其特征在于:所述燒結(jié)為無壓燒結(jié)的步驟,按下述工藝進(jìn)行:常壓下,將粉料置于模具中,在燒結(jié)爐中以60~80℃/min的速度升溫至1600℃~1800℃,保溫0.5h~2h,停止加熱后隨爐冷卻至室溫。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷,其特征在于:所述球磨步驟,按下述工藝進(jìn)行:常溫下,將經(jīng)混料的粉料置于球磨機(jī)中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷,其特征在于:所述混料步驟,按下述工藝進(jìn)行:將經(jīng)干燥后的陶瓷原料按比例混合均勻,過80~200目篩。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷,其特征在于:包括下述工藝步驟:
①混料:將經(jīng)干燥后的陶瓷原料按比例混合均勻,過80~200目篩;
②球磨:常溫下,將經(jīng)混料的粉料置于球磨機(jī)中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h;
③燒結(jié):常壓下,將粉料置于模具中,在燒結(jié)爐中以60~80℃/min的速度升溫至1600℃~1800℃,保溫0.5h~2h,停止加熱后隨爐冷卻至室溫。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大連大友高技術(shù)陶瓷有限公司,未經(jīng)大連大友高技術(shù)陶瓷有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210496629.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





