[發明專利]一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法

有效

• 申請號: 201210496549.5
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN103843538A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 崔金騰;張克中;王全;王杰
• 申請（專利權）人: 北京農學院
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00;A01G31/00;A01C1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種君子蘭假鱗莖切割扦插繁殖方法，其特征在于包括下列步驟：

1)培養基質的配制：取干燥的草炭土，珍珠巖和腐葉土按照3∶1∶1混合成培養基質，然后放在高壓滅菌鍋中在121℃條件下滅菌30分鐘；

2)培養基質的pH值調節：在培養基質中加入適量水分使之濕潤，調節培養基質pH在6.5-6.7之間，然后將培養基質倒入育秧盤中備用，調節培養基質pH值時可用稀鹽酸、氫氧化鈉溶液；

3)母株假鱗莖的切割和消毒：取株齡3年以上的君子蘭母株，清洗干凈，將植株形態以葉片向上根向下放置，刀口平行于葉片從上往下縱切母株，并確保每部分均帶有一片君子蘭母株葉片和部分假鱗莖盤，去掉所有的地下莖和老根組織，然后將這些切割好的君子蘭假鱗莖切片在稀釋1000倍的多菌靈中浸泡30分鐘消毒，然后再將切面部分在生根粉粉劑中蘸一下，使藥粉包敷在假鱗莖盤的切面上，然后取出作為插穗待插；

4)假鱗莖切片插穗的種植：將消毒的插穗插入育秧盤中的培養基質內，種植行間距5×5厘米，將假鱗莖切片插入培養基質3-4厘米深，置于22-25℃的陰暗條件下培養120-130天，期間控制濕度在60％-80％之間，并待每次培養基質干燥后澆透水；

5)幼苗的移植：當插穗的假鱗莖切片上長出新根芽后，移栽至按照草炭土、珍珠巖、腐葉土和稻殼3∶1∶3∶1混合成的培養基質中，在常規管理條件下長成正常的君子蘭植株。