[發明專利]一種超級結外延CMP工藝方法

有效

• 申請號: 201210496251.4
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103854979B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 李剛
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/321
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種超級結外延CMP工藝方法，其特征在于：包含如下工藝步驟：

第1步，在硅襯底上進行柵溝槽刻蝕，并淀積一層氧化層；

第2步，器件表面淀積多晶硅，多晶硅填充滿整個柵溝槽；

第3步，器件表面再淀積氧化膜阻擋層；

第4步，光刻及刻蝕打開阻擋層窗口，使硅襯底露出；

第5步，對阻擋層打開區域的硅襯底進行外延溝槽刻蝕；

第6步，去除多晶硅上的氧化膜阻擋層；

第7步，器件表面淀積一層外延，填充滿所刻蝕的外延溝槽；

第8步，進行CMP研磨，研磨停留在硅襯底表面的氧化層上。

2.如權利要求1所述的一種超級結外延CMP工藝方法，其特征在于：所述第4步中，阻擋層打開分氧化膜阻擋層刻蝕，多晶硅刻蝕以及氧化層刻蝕三步。

3.如權利要求1所述的一種超級結外延CMP工藝方法，其特征在于：所述第8步中的CMP研磨采用多晶硅CMP，硅襯底表面的氧化層作為多晶硅CMP工藝的研磨阻擋層。