[發明專利]具有高飽和磁通密度的Fe基軟磁合金及其制備方法無效
| 申請號: | 201210495911.7 | 申請日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN102936685A | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發明(設計)人: | 嚴密;趙國梁 | 申請(專利權)人: | 浙江大學;寧波埃爾斯通電氣有限公司 |
| 主分類號: | C22C38/16 | 分類號: | C22C38/16;C22C38/20;C22C38/34;C22C38/36;C22C38/38;C22C33/04;C22C45/02;H01F1/147 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 張法高 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 飽和 密度 fe 基軟磁 合金 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有高飽和磁通密度的Fe基軟磁合金,其特征在于合金的成分為FeaSibBcCudMeYf,式中M為C、P、Cr、Mn中的一種或幾種,下標a、b、c、d、e、f表示相應合金元素的原子百分比,滿足以下條件:70≤a≤90,?2≤b≤15,?4≤c≤13,?0.4≤d≤3,?2≤e≤8,?0<f≤5;且a+b+c+d+e+f=100;該合金由非晶相及納米晶相兩相組成,以非晶相為基體。
2.一種權利要求1所述的具有高飽和磁通密度的Fe基軟磁合金的制備方法,其特征在于它的步驟如下:
1)按FeaSibBcCudMeYf要求配制原料,式中下標a、b、c、d、e、f表示相應合金元素的原子百分比,滿足以下條件:70≤a≤90,?2≤b≤15,?4≤c≤13,?0.4≤d≤3,?2≤e≤8,?0<f≤5;且a+b+c+d+e+f=100;
2)將配好的原料裝入熔煉爐中,在高純Ar的保護下熔煉3-5次,使得混合均勻;
3)將合金錠除去表面的氧化層及雜質,并進行破碎;
4)將破碎后的合金用單輥極冷法進行甩帶處理,制成非晶合金;
5)將非晶合金放入熱處理爐中,在真空條件下,在450oC-550oC下保溫3-60min,再淬火至室溫,得到鐵基納米晶軟磁合金。
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