[發明專利]柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制備方法

有效

• 申請號: 201210495682.9
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN102956752A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 楊亦桐
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十八研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制備方法，包括在柔性襯底上依次制備Mo背電極、吸收層、CdS緩沖層、i-ZnO/ZnO：Al透明導電層/窗口層和Ni/Al電極，其特征在于：所述吸收層采用后摻鈉的制備方法。

2.根據權利要求1所述的柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述吸收層采用后摻鈉的制備方法步驟包括：

步驟1、在柔性襯底上帶有Mo背電極的一面向下置入真空室的蒸發腔內，柔性襯底的上方置有襯底加熱裝置，作為蒸發源的Cu、Ga、Se、In均勻分布在蒸發腔內Mo背電極下方的周邊，作為蒸發源的NaF9置于蒸發腔內吸收層下面的中心處；Cu、Ga、Se、In和NaF蒸發源各自置于溫度可控的加熱裝置中；柔性襯底與Cu、Ga、Se、In和NaF蒸發源之間均置有蒸發源擋板；

步驟2、通過真空泵將蒸發腔內抽真空至10^-3Pa，襯底加熱至450°C~500°C，Cu蒸發源加熱到1200-1300°C、In蒸發源加熱到800-1000°C、Ga蒸發源加熱到900-1100°C、Se蒸發源加熱到200-300°C，打開Cu、In、Ga、Se的蒸發源擋板，在Mo背電極上共蒸發Cu、In、Ga、Se元素制備厚度為1-5μm的吸收層；關閉Cu、In、Ga的蒸發源擋板；

步驟3、保持柔性襯底溫度不變，NaF蒸發源加熱到550°C~600°C，打開NaF上面的蒸發源擋板，NaF持續蒸發15~20min后關閉NaF上面的蒸發源擋板，停止NaF加熱；

步驟4、柔性襯底在Se氣氛下以20-30°C/min的速率降溫，直至柔性襯底溫度低于250°C后關閉Se的蒸發源擋板，停止通入Se蒸汽，待柔性襯底冷卻至室溫后取出，吸收層即形成后摻雜Na的吸收層。

3.根據權利要求1或2所述的柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述柔性襯底為聚酰亞胺膜、鈦箔或不銹鋼箔片。

4.根據權利要求1或2所述的柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述步驟1中溫度可控的加熱裝置為內周圍盤繞有加熱電阻絲的氮化硼坩堝，坩堝外壁貼附有測量并控制加熱溫度的熱偶。