[發明專利]底填劑材料及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201210495571.8
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103131355A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 盛田浩介;高本尚英;千歲裕之
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J133/00
• 分類號: C09J133/00;C09J163/00;C09J161/06;C09J7/02;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種底填劑材料，其在175℃熱固化處理1小時后的貯存彈性模量E’及熱膨脹系數α在25℃下滿足下述式(1)，其中貯存彈性模量E’單位是MPa，熱膨脹系數α單位是ppm/K，

E’×α＜250000Pa/K????(1)。

2.根據權利要求1所述的底填劑材料，其中，所述貯存彈性模量E’為100～10000MPa，并且所述熱膨脹系數α為10～200ppm/K。

3.根據權利要求1所述的底填劑材料，其中，所述貯存彈性模量E’與所述熱膨脹系數α滿足下述式(2)，其中貯存彈性模量E’單位是MPa，熱膨脹系數α單位是ppm/K，

10000Pa/K＜E’×α＜250000Pa/K????(2)。

4.根據權利要求1所述的底填劑材料，其含有熱塑性樹脂和熱固化性樹脂。

5.根據權利要求4所述的底填劑材料，其中，所述熱塑性樹脂包含丙烯酸樹脂。

6.根據權利要求4所述的底填劑材料，其中，所述熱固化性樹脂包含環氧樹脂和酚醛樹脂。

7.一種密封片，其具備背面磨削用帶和層疊在該背面磨削用帶上的權利要求1所述的底填劑材料。

8.一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置具有被粘物、與該被粘物電連接的半導體元件、以及填充該被粘物與該半導體元件之間的空間的底填劑材料，該制造方法包括：

貼合工序，將半導體晶片的形成有連接部件的電路面和權利要求7所述的密封片的底填劑材料貼合；

磨削工序，對所述半導體晶片的與電路面相反一側的表面進行磨削；

切割工序，切割所述半導體晶片而形成帶有所述底填劑材料的半導體元件；

連接工序，用所述底填劑材料填充所述被粘物和所述半導體元件之間的空間并同時借助所述連接部件將所述半導體元件和所述被粘物電連接。