[發(fā)明專利]傳感器裝置的制造方法及傳感器裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210495371.2
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103134598A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山田健二
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G01J5/12
• 分類號: G01J5/12
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種傳感器裝置的制造方法，所述傳感器在基板上的第一區(qū)域具有熱電傳感器，同時(shí)在所述基板上的與所述第一區(qū)域不同的第二區(qū)域具有焊盤，所述傳感器裝置的制造方法的特征在于，包括：

在所述第一區(qū)域形成第一導(dǎo)電部的步驟；

在所述第一導(dǎo)電部上形成熱電體的步驟；

在所述熱電體上形成第二導(dǎo)電部的步驟；

在所述第二導(dǎo)電部上及所述第二區(qū)域分別形成第一絕緣膜的步驟；

通過除去所述第一絕緣膜的一部分而在所述第一區(qū)域形成將所述第二導(dǎo)電部作為底面的第一開口部、在所述第二區(qū)域形成第二開口部的步驟；

在所述第一開口部及所述第二開口部中分別埋入第三導(dǎo)電部的步驟；

形成在所述第一區(qū)域中覆蓋所述熱電體、在所述第二區(qū)域中覆蓋所述第三導(dǎo)電部的第二絕緣膜的步驟；以及

通過除去所述第二絕緣膜的一部分而形成將所述第三導(dǎo)電部作為底面的第三開口部的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

以埋入所述第三開口部的方式在所述第二區(qū)域的所述第二絕緣膜上形成第四導(dǎo)電部的步驟；

在所述第四導(dǎo)電部上及所述第一區(qū)域的所述第二絕緣膜上分別形成第三絕緣膜的步驟；以及

通過除去所述第三絕緣膜的一部分而形成將所述第四導(dǎo)電部作為底面的第四開口部的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置的制造方法，其特征在于，形成所述熱電體的步驟及形成所述第二導(dǎo)電部的步驟是以下的步驟：

在所述第一導(dǎo)電部上層壓所述熱電體和所述第二導(dǎo)電部，通過除去所述第二區(qū)域的所述第二導(dǎo)電部而使所述熱電體露出，通過除去露出的所述熱電體而使所述第二區(qū)域的所述第一導(dǎo)電部露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置的制造方法，其特征在于，形成所述第一導(dǎo)電部的步驟、形成所述熱電體的步驟及形成所述第二導(dǎo)電部的步驟是以下的步驟：

在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域分別形成所述第一導(dǎo)電部，在所述第一導(dǎo)電部上層壓所述熱電體和所述第二導(dǎo)電部，通過除去所述第二區(qū)域的所述第二導(dǎo)電部而使所述熱電體露出，通過除去露出的所述熱電體而使所述第二區(qū)域的所述第一導(dǎo)電部露出，并除去露出的所述第一導(dǎo)電部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的傳感器裝置的制造方法，其特征在于，形成所述第二開口部的步驟是通過除去所述第二區(qū)域中的所述第一絕緣膜的一部分而形成所述第二開口部的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的傳感器裝置的制造方法，其特征在于，形成所述第二開口部的步驟是通過除去所述第二區(qū)域中的所述第一絕緣膜而在所述第二區(qū)域的所述第三導(dǎo)電部的下方的整個(gè)區(qū)域形成所述第二開口部的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述第一區(qū)域形成用于支承所述熱電傳感器的支承體的步驟，形成所述第一導(dǎo)電部的步驟是在所述支承體上形成所述第一導(dǎo)電部的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的傳感器裝置的制造方法，其特征在于，形成所述支承體的步驟是以下的步驟：

在所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域先分別形成所述支承體，當(dāng)在所述第二開口部埋入所述第三導(dǎo)電部之前，除去在所述第二開口部的底面露出的所述支承體。

9.一種傳感器裝置，所述傳感器裝置在基板上的第一區(qū)域具有熱電傳感器、同時(shí)在所述基板上的與所述第一區(qū)域不同的第二區(qū)域具有焊盤，所述傳感器裝置的特征在于，包括：

形成于所述第一區(qū)域的第一導(dǎo)電部；

形成于所述第一導(dǎo)電部上的熱電體；

形成于所述熱電體上的第二導(dǎo)電部；

第一絕緣膜，以覆蓋所述第二導(dǎo)電部的方式形成于所述基板的上方，具有將所述第二導(dǎo)電部作為底面的第一開口部，并在所述第二區(qū)域具有第二開口部；

分別埋入所述第一開口部及所述第二開口部的第三導(dǎo)電部；以及

第二絕緣膜，在所述第一區(qū)域中覆蓋所述熱電體，在所述第二區(qū)域中覆蓋所述第三導(dǎo)電部，并具有將所述第二區(qū)域的所述第三導(dǎo)電部作為底面的第三開口部。