[發明專利]電子器件、制造方法和電子器件制造裝置

有效

• 申請號: 201210495330.3
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103212776A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 酒井泰治;今泉延弘
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: B23K20/00
• 分類號: B23K20/00;B23K20/24;B23K20/26;H01L21/603;H01L23/488;H01R4/00;H01R43/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種制造電子器件的方法，所述方法包括：

使第一電子元件的第一電極的頂表面暴露于有機酸；

利用紫外光照射所述第一電極的暴露于所述有機酸的所述頂表面；以及

通過對所述第一電極和第二電子元件的第二電極進行加熱和相互壓制來接合所述第一電極和所述第二電極。

2.根據權利要求1所述的制造電子器件的方法，所述方法還包括：

使所述第二電極的頂表面暴露于所述有機酸；以及

利用紫外光照射所述第二電極的暴露于所述有機酸的所述頂表面。

3.根據權利要求1或2所述的制造電子器件的方法，所述方法還包括：

在接合所述第一電極和所述第二電極之前，使用臨時性接合材料來臨時地接合所述第一電子元件和所述第二電子元件。

4.根據權利要求3所述的制造電子器件的方法，其中

所述臨時性接合材料是在接合所述第一電極和所述第二電極的過程中因加熱而揮發、熔化或分解的材料。

5.根據權利要求1所述的制造電子器件的方法，所述方法還包括：

在使所述第一電極的所述頂表面暴露于所述有機酸之前，對所述第一電極的所述頂表面進行熱氧化。

6.根據權利要求1所述的制造電子器件的方法，其中接合所述第一電極和所述第二電極在排除氧的氣氛或包含有機酸的氣氛中進行。

7.根據權利要求1所述的制造電子器件的方法，所述方法還包括：

在接合所述第一電極和所述第二電極之前，使所述第一電極的頂表面和所述第二電極的頂表面中的至少之一暴露于紫外光或氧等離子體。

8.根據權利要求1所述的制造電子器件的方法，其中

在接合所述第一電極和所述第二電極的過程中，將所述第一電極和所述第二電極加熱到比變質層的再結晶溫度高的溫度，所述變質層是通過所述紫外光的照射而在所述第一電極的所述頂表面中形成的。

9.根據權利要求1所述的制造電子器件的方法，所述方法還包括：

在使所述第一電極的所述頂表面暴露于所述有機酸之前，對所述第一電極的所述頂表面進行切削。

10.一種電子器件，包括：

包括第一電極的第一電子元件；以及

包括接合到所述第一電極的第二電極的第二電子元件，其中

在所述第一電極和所述第二電極之間形成有晶體層。

11.根據權利要求10所述的電子器件，其中

所述晶體層的晶粒具有比所述第一電極和所述第二電極的晶粒的平均直徑小的平均直徑。

12.根據權利要求10或11所述的電子器件，其中所述第一電極、所述第二電極和所述晶體層由相同的材料制成。

13.根據權利要求12所述的電子器件，其中所述材料為銅。

14.一種電子器件制造裝置，包括：

室；

平臺，所述平臺設置在所述室中并且在所述平臺上放置有具有電極的電子元件；以及

紫外燈，所述紫外燈設置在所述室中并且配置為利用紫外光照射所述電極，其中

所述紫外燈設置在所述紫外燈能夠利用所述紫外光照射所述電極的頂表面的位置處。

15.一種電子器件制造裝置，包括：

第一室，在所述第一室中，從包括在第一電子元件中的第一電極和包括在第二電子元件中的第二電極中的至少之一的表面移除氧化膜；

第二室，所述第二室連接到所述第一室，并且在所述第二室中利用紫外光照射所述第一電極和所述第二電極中的至少之一；

接合器，所述接合器連接到所述第二室并且配置為使所述第一電極和所述第二電極對準；以及

第三室，所述第三室連接到所述接合器，并且在所述第三室中對所述第一電子元件和所述第二電子元件進行加熱和相互壓靠。