[發明專利]一種基于自回歸模型的任意比例圖像插值方法有效
| 申請號: | 201210495044.7 | 申請日: | 2012-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN103854254A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 李馬丁;劉家瑛;任杰;郭宗明 | 申請(專利權)人: | 北京大學;北大方正集團有限公司;北京北大方正電子有限公司 |
| 主分類號: | G06T5/00 | 分類號: | G06T5/00 |
| 代理公司: | 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;文永明 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 回歸 模型 任意 比例 圖像 方法 | ||
1.一種基于自回歸模型的任意比例圖像插值方法,包括以下步驟:
(1)將低分辨率圖像上插到目標尺度,得到上插后的圖像M;
(2)確定所述圖像M中待插值的局部區域W,對所述局部區域W內部除邊緣像素點外每一個像素點建立水平垂直和45度對角線兩種自回歸模型,根據所述自回歸模型確定初始目標函數F0;
(3)將所述局部區域W除去邊緣像素點外下采至與所述低分辨率圖像相同的尺寸,得到局部區域W′,將所述局部區域W′與所述低分辨圖像中與所述局部區域W′相對應的區域逐像素值相減,將結果加入初始目標函數F0中,得到目標函數F;
(4)對所述目標函數F進行迭代求解,獲得所述局部區域W中心塊的像素點值;
(5)對所述圖像M中的所有局部區域,重復步驟(2)~步驟(4),得到最終插值后的高分辨率圖像。
2.如權利要求1所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:步驟(1)中采用雙三次插值方法將低分辨率圖像上插到目標尺度。
3.如權利要求1所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:步驟(2)中所述局部區域W的取值范圍為7×7像素點至15×15像素點之間。
4.如權利要求1所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:步驟(2)中所述水平垂直的自回歸模型由像素點及其上、右、下、左四個相鄰像素點組成,45度對角線的自回歸模型由像素點及其左上、右上、右下、左下四個相鄰像素點組成。
5.如權利要求1所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:步驟(2)中所述根據自回歸模型確定初始目標函數F0的方法如下:
對每個自回歸模型進行周圍像素點加權之后和中心像素點做差;對整個局部區域W中的所有自回歸模型求和,初始目標函數F0為該和最小。
6.如權利要求1~5中任一項所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:步驟(3)中采用雙三次插值方法將所述局部區域W除去邊緣像素點外下采至與所述低分辨率圖像相同的尺寸。
7.如權利要求1所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:步驟(4)中所述對目標函數F進行迭代求解的過程包括以下步驟:
在局部區域W中計算所有塊與中心塊的相似性,將所述相似性加入到所述目標函數F中,得到目標函數F1;
根據所述目標函數F1定義殘差向量,將所述目標函數F1轉化成F2;
將目標函數F2加入微小變化量后線性化,得到目標函數F3;
采用最小二乘法對所述目標函數F3進行迭代,直到所述微小變化量小于設定的閾值。
8.如權利要求7所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:所述塊與中心塊的相似性的計算方法如下:
分別計算兩個塊之間的結構相似性和距離相似性,結構相似性和距離相似性的乘積便是兩個塊之間的相似性。
9.如權利要求7所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:所述閾值的取值范圍在(0.1,1)之間。
10.如權利要求7~9中任一項所述的任意比例圖像插值方法,其特征在于:步驟(4)中所述塊的取值范圍為3×3像素點至5×5像素點之間。
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