[發明專利]一種用于WOLED的彩色濾光片結構及其制造方法無效
| 申請號: | 201210493305.1 | 申請日: | 2012-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN102969334A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 李家豪;連翔琳;陳奎百;廖烝賢 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 woled 彩色 濾光 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種用于白光有機發光二極管(WOLED,White?OrganicLight?Emitting?Diode)的彩色濾光片結構,其特征在于,所述彩色濾光片結構包括:
一玻璃基板;
一黑色矩陣圖案層,位于所述玻璃基板的上方,所述黑色矩陣圖案層包括多個間隔分布的黑矩陣;以及
一像素層,包括一紅色子像素、一綠色子像素、一第一藍色子像素和一第二藍色子像素,其中,所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述第一藍色子像素和所述第二藍色子像素中的每一子像素均設置于相鄰的黑矩陣之間,
其中,所述第二藍色子像素的薄膜厚度小于所述第一藍色子像素的薄膜厚度。
2.根據權利要求1所述的彩色濾光片結構,其特征在于,所述白光有機發光二極管光源通過所述第二藍色子像素后的色溫介于5500K~13000K之間。
3.根據權利要求2所述的彩色濾光片結構,其特征在于,所述白光有機發光二極管光源通過所述第二藍色子像素的色溫為T2且未通過所述第二藍色子像素的色溫為T1,則T2與T1滿足:
T2-T1>2000K。
4.根據權利要求1所述的彩色濾光片結構,其特征在于,所述彩色濾光片結構還包括一保護層(OC,Over?Coat),位于所述像素層的上方,并用以填平所述像素層。
5.一種用于白光有機發光二極管(WOLED,White?OrganicLight?Emitting?Diode)的彩色濾光片結構的制造方法,其特征在于,該制造方法包括以下步驟:
提供一玻璃基板;
形成一黑色矩陣圖案層于所述玻璃基板的上方,其中,該黑色矩陣圖案層包括多個間隔分布的黑矩陣;
形成一紅色子像素、一綠色子像素和一第一藍色子像素于相鄰的黑矩陣之間;以及
形成一第二藍色子像素于相鄰的黑矩陣之間,其中,所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述第一藍色子像素和所述第二藍色子像素構成一像素層,并且所述第二藍色子像素的薄膜厚度小于所述第一藍色子像素的薄膜厚度。
6.根據權利要求5所述的制造方法,其特征在于,該制造方法還包括:
形成一保護層于所述像素層的上方,從而填平所述像素層。
7.根據權利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述白光有機發光二極管光源通過所述第二藍色子像素后的色溫介于5500K~13000K之間。
8.一種用于白光有機發光二極管(WOLED,White?OrganicLight?Emitting?Diode)的彩色濾光片結構的制造方法,其特征在于,該制造方法包括以下步驟:
提供一玻璃基板;
形成一黑色矩陣圖案層于所述玻璃基板的上方,其中,該黑色矩陣圖案層包括多個間隔分布的黑矩陣;
形成一紅色子像素和一綠色子像素,所述紅色子像素和所述綠色子像素均位于相鄰的黑矩陣之間;
涂布一藍色阻層于所述紅色子像素和綠色子像素的上方;
采用半調光制程(half?tone)形成一第一藍色子像素和一第二藍色子像素,其中,所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述第一藍色子像素和所述第二藍色子像素構成一像素層,所述第二藍色子像素的薄膜厚度小于所述第一藍色子像素的薄膜厚度。
9.根據權利要求8所述的制造方法,其特征在于,該制造方法還包括:
形成一保護層于所述像素層的上方,從而填平所述像素層。
10.根據權利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述白光有機發光二極管光源通過所述第二藍色子像素后的色溫介于5500K~13000K之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





