[發(fā)明專利]發(fā)光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210493121.5 | 申請日： | 2012-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN103811644A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉榮昌;楊博仁;鐘明樺;陳建明 | 申請（專利權(quán)）人： | 財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體光源，該半導(dǎo)體光源的發(fā)光波長為400nm至455nm；以及，
封裝層，用以包覆該半導(dǎo)體光源，該封裝層包括熒光材料，該熒光材料包括式(I)所示的化合物
式中，
R1為苯撐、-S-、乙烯撐、C1-12烷撐、-CnH2n+1-O-、-CnH2n(OH)-或C1-12環(huán)烷氧撐；
R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及R9各自獨立地為氫、苯基、C1-12烷基、CnH2n+1-O-、HOCnH2n+1-或CnH2n-1-O-；以及，
n為1至12的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體光源為發(fā)光二極管晶粒。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體光源為藍(lán)色發(fā)光二極管晶粒。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該熒光材料的比重為約1至2。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該熒光材料的比重為約1.1至1.5。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，R1為或苯撐。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，R1為
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置為白色發(fā)光裝置。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該式(I)所示的化合物的制備是利用加熱法而合成。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該式(I)所示的化合物的制備是利用微波進(jìn)行。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該式(I)所示的化合物的制備使用磷酸系脫水劑。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該磷酸系脫水劑為聚磷酸、五氧化二磷或其組合。
13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該封裝層還包括封裝材料。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該封裝層是通過混合該封裝材料及該熒光材料而制備。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該熒光材料的量，以該封裝材料與該熒光材料的總重量為基準(zhǔn)計，為5wt%至95wt%。
16.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括承載件及透光組件，其中，該透光組件包覆該半導(dǎo)體光源及該封裝層。
17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該承載件是導(dǎo)線架。
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