[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201210492962.4
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN102969311A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 張彌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

現有技術的陣列基板包括柵線、數據線及柵線和數據線交叉定義的像素單元，每個像素單元包括：薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）、像素電極和公共電極，且每個像素單元只有一個TFT。該TFT的源極連接數據線，漏極連接像素電極，柵極由柵線驅動以開啟TFT溝道，使數據線上的電壓信號通過TFT施加至像素電極上。開啟TFT溝道時通常需要較大的柵電極開啟電壓，以保證溝道處的充電電流和充電率，從而使得功耗上升。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：如何降低開啟TFT時所需的功耗。

（二）技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列基板，包括：柵線、數據線及柵線和數據線交叉定義的像素單元，每個像素單元包括：第一薄膜晶體管，每個像素單元還包括：第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管共用柵極及有源層，所述第二薄膜晶體管用于在第一薄膜晶體管的溝道處形成一開啟電壓，與所述柵極提供的開啟電壓共同開啟第一薄膜晶體管的溝道。

其中，所述第二薄膜晶體管的源漏電極層與所述第一薄膜晶體管的源漏電極層之間設有絕緣間隔層，所述第二薄膜晶體管的源極連接所述柵線及所述有源層，第二薄膜晶體管的漏極連接所述有源層，且位于所述第一薄膜晶體管的溝道區域。

其中，所述絕緣間隔層覆蓋整個陣列基板，所述第二薄膜晶體管的源極通過穿過所述絕緣間隔層、有源層和柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層和所述柵線，所述第二薄膜晶體管的漏極通過穿過所述絕緣間隔層的第二過孔連接所述有源層。

其中，穿過所述絕緣間隔層、有源層和柵絕緣層的第一過孔為階梯孔，穿過所述絕緣間隔層的孔的直徑大于穿過有源層和柵絕緣層的孔的直徑。

其中，所述絕緣間隔層覆蓋的區域對應為所述第二薄膜晶體管的漏極的與所述第一薄膜晶體管的源極、漏極及第一薄膜晶體管的源極和漏極之間的溝道重疊的區域，所述第二薄膜晶體管的源極通過穿過所述有源層和柵絕緣層的第一過孔連接所述柵線。

其中，還包括：與柵線同層的公共電極線，所述第二薄膜晶體管的源漏電極層與所述第一薄膜晶體管的源漏電極層之間設有絕緣間隔層，所述第二薄膜晶體管的源極連接所述公共電極線和所述有源層，所述第二薄膜晶體管的漏極連接所述有源層，且位于所述第一薄膜晶體管的溝道區域。

其中，所述絕緣間隔層覆蓋整個陣列基板，所述第二薄膜晶體管的源極通過穿過所述絕緣間隔層的第三過孔連接所述有源層，且通過穿過所述絕緣間隔層及柵絕緣層的第一過孔連接所述公共電極線，所述第二薄膜晶體管的漏極通過穿過所述絕緣間隔層的第二過孔連接所述有源層。

其中，所述絕緣間隔層覆蓋的區域對應為所述第二薄膜晶體管的漏極的與所述第一薄膜晶體管的源極、漏極及第一薄膜晶體管的源極和漏極之間的溝道重疊的區域，所述第二薄膜晶體管的源極通過穿過所述柵絕緣層的第一過孔連接所述公共電極線。

其中，所述第二薄膜晶體管上方還覆蓋有鈍化層。

本發明還提供了一種陣列基板制作方法，包括以下步驟：

在基板上形成包括柵線、柵極、柵絕緣層及有源層的圖形；

形成包括數據線、第一源極及第一漏極的圖形，以形成第一薄膜晶體管；

形成絕緣間隔層；

形成包括第二源極、第二漏極的圖形，以形成第二薄膜晶體管，使所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管共用柵極及有源層，第二漏極位于所述第一源極及第一漏極之間的溝道的上方。

其中，在形成絕緣間隔層時，使所述絕緣間隔層覆蓋的區域對應為所述第二漏極與所述第一源極、第一漏極及第一源極和第一漏極之間的溝道重疊的區域，在形成所述絕緣間隔層之后第二薄膜晶體管之前還包括在所述柵絕緣層和有源層上位于所述第二源極的區域內形成第一過孔使暴露出所述柵線。

其中，形成絕緣間隔層覆蓋整個基板，同時還包括在所述絕緣間隔層上位于所述第二源極的區域內形成第一過孔使暴露出所述柵線，位于所述第二漏極的區域內形成第二過孔使暴露出所述有源層。

其中，在形成柵線的同時，還包括形成公共電極線。