[發(fā)明專利]一種紅色氮氧化物熒光材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210492891.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103087708A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙爭(zhēng)妍;陳友三;張銳麗;魏嵐;楊志剛;王闖;王育華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門(mén)通士達(dá)新材料有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C09K11/59 | 分類(lèi)號(hào): | C09K11/59 |
| 代理公司: | 廈門(mén)市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 35204 | 代理人: | 楊依展 |
| 地址: | 361000 福*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紅色 氧化物 熒光 材料 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體照明中光致發(fā)光的紅色硅基-氮氧化物熒光材料。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的照明光源包括白熾燈和熒光燈。最先普及的是白熾燈,因其效能的緣故大量地被熒光燈替代。然而就熒光燈而言,由于其含有微量的Hg對(duì)環(huán)境并不友好;同時(shí),這些傳統(tǒng)光源的能效相對(duì)較低、壽命相對(duì)較短,不利于節(jié)能經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。自上世紀(jì)末,GaN基藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)技術(shù)突破后,LED應(yīng)用已從顯示領(lǐng)域發(fā)展到背光照明、裝飾照明、交通信號(hào)照明,并已開(kāi)始進(jìn)入以白光LED(WLEDs)為主的普通照明應(yīng)用。與傳統(tǒng)的照明技術(shù)相比,白光LED(WLEDs)具有顯著的優(yōu)勢(shì):包括體積小、耗電量低、發(fā)熱量小、壽命長(zhǎng)、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。
目前國(guó)際上商業(yè)應(yīng)用最廣泛的WLEDs技術(shù)是采用黃色熒光粉(如日本日亞化學(xué)公司具有專利技術(shù)的(Y1-aGda)3(Al1-bGab)5O12:Ce3+,簡(jiǎn)稱YAG:Ce)與藍(lán)色LED芯片結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn)的,該方法雖然可獲得高效的白光LED光源,但該光源由于缺乏紅色(600nm或更長(zhǎng)波長(zhǎng))成分,所以存在顯色指數(shù)偏低、色溫偏高(>5500K)以及高溫光衰嚴(yán)重等缺點(diǎn),很難以滿足普通照明“暖白光”的需求。為解決上述缺陷,許多的方案已經(jīng)提出,例如科學(xué)家們嘗試在上述體系中加入紅色熒光材料或通過(guò)(近)紫外芯片與紅、綠、藍(lán)三色熒光材料結(jié)合獲得顯色指數(shù)高、同時(shí)色溫低的WLEDs。因此,無(wú)論使用藍(lán)光或(近)紫光芯片,均需研發(fā)發(fā)光性能優(yōu)異的紅色熒光材料。
到目前為止能夠被(近)紫外或藍(lán)光激發(fā)的紅色硅基氮(氧)化物熒光材料及制備方法少有報(bào)道。其中兩種性能最好的紅色熒光材料是Sr2Si5N8和CaAlSiN3,但是它們制備困難,成本高,不利于大量工業(yè)生產(chǎn)。因而開(kāi)發(fā)新型的發(fā)光效率高、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、制備方法簡(jiǎn)便的紅色熒光材料大勢(shì)所需。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有紅色熒光材料制備困難、成本高、不利于大量生產(chǎn)的缺陷,本發(fā)明提出一種紅色氮氧化物熒光材料及其制備方法,其技術(shù)方案如下:
一種紅色氮氧化物熒光材料,其為化學(xué)組成式pM(1-x)O-qSi3N4-rSiO2:xEu的共熔體,其中M為Mg,Ca,Sr或Ba中一種或幾種。其中p,q,r,x分別為1.5≤p≤2,0.25≤q≤0.45,0≤r≤0.25,0.001≤x≤0.5。
作為本技術(shù)方案的優(yōu)選者,可以在如下方面體現(xiàn):
較佳實(shí)施例中,該熒光材料其基本結(jié)構(gòu)為由α’-Sr2SiO4組成的正交晶體結(jié)構(gòu)。
較佳實(shí)施例中,其中的Si可以被B、Al、Ga和Ge中的一種或幾種組合部分取代,所取代的摩爾百分比為0~15%
較佳實(shí)施例中,在發(fā)射光譜中發(fā)射峰值波長(zhǎng)范圍為500nm-700nm,在激發(fā)光譜中激發(fā)波長(zhǎng)范圍為300nm-550nm。
較佳實(shí)施例中,在發(fā)射光譜中發(fā)射峰值波長(zhǎng)范圍為600nm-650nm,在激發(fā)光譜中激發(fā)波長(zhǎng)范圍為380nm-480nm。
作為制備上述材料的基本方法,可以按如下方式體現(xiàn):
一種紅色氮氧化物熒光材料的制備方法,包括以下步驟:
1)根據(jù)化學(xué)組成式pM(1-x)EuxO-qSi3N4-rSiO2,按各元素比例計(jì)算并稱取各原料用量,式中p,q,r,x分別為1.5≤p≤2,0.25≤q≤0.45,0≤r≤0.25,0.001≤x≤0.5,其中該原料包括:
含有M的氧化物、碳酸鹽、草酸鹽中的一種或幾種化合物,其中M為Mg,Ca,Sr或Ba的一種或幾種;
含Eu的單質(zhì)、氧化物、氮化物中的一種或其幾種組合;以及
含Si的氧化物、氮化物、能夠轉(zhuǎn)化為氧化物或者氮化物的化合物中的一種或幾種組合。
2)將上述原料混合,在還原氣氛下,將混合物加熱至1350℃-1500℃,進(jìn)行焙燒3-8h,隨爐冷卻至室溫。
該制備方法的優(yōu)選者可以按如下體現(xiàn):
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