[發明專利]使從非易失性存儲設備讀取成為可能的系統和方法有效
| 申請號: | 201210492292.6 | 申請日: | 2012-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN103137193A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 保羅·露絲 | 申請(專利權)人: | 賽普拉斯半導體公司 |
| 主分類號: | G11C16/02 | 分類號: | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;鄭霞 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性 存儲 設備 讀取 成為 可能 系統 方法 | ||
1.一種由被編程來執行下列操作的計算系統實現的方法,包括:
將用于讀取存儲在非易失性存儲器(NVM)設備中的數據的讀出參數設置到第一值;
使用設置在所述第一值的所述讀出參數從所述NVM設備的多個存儲單元讀取,其中所述NVM設備的所述多個存儲單元存儲等值;
驗證所述等值是否從所述NVM設備的所述多個存儲單元被正確地讀取;
當所述等值使用設置在所述第一值的所述讀出參數沒有被正確地讀取時,將所述讀出參數設置到第二值;以及
當所述等值被正確地讀取時,
根據所述等值確定所述讀出參數的第三值,以及
當所述等值被正確地讀取時,將所述讀出參數設置到所述第三值。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述第三值不同于所述第一值。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述等值是所述第三值。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述讀出參數是所述NVM設備的讀出窗口的基準電流。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述驗證包括將從所述多個存儲單元的第一存儲單元讀取的數據值與從所述多個存儲單元的第二存儲單元讀取的數據值相比較。
6.根據權利要求5所述的方法,還包括當在從所述第一存儲單元讀取的所述數據值和從所述第二存儲單元讀取的所述數據值之間沒有匹配時,將所述讀出參數調整為所述第二值。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述驗證包括:
使用設置在所述第一值的所述讀出參數讀取所述等值的預定校驗和,其中所述預定校驗和被存儲在所述NVM設備的所述多個存儲單元的另一個存儲單元中;
計算從所述NVM設備的所述多個存儲單元讀取的數據值的校驗和;以及
將所述校驗和與所述預定校驗和相比較,其中當所述校驗和匹配所述預定校驗和時,所述等值被正確地讀取。
8.根據權利要求7所述的方法,還包括當在所述校驗和與所述預定校驗和之間沒有匹配時,將所述讀出參數調整為所述第二值。
9.根據權利要求7所述的方法,還包括當所述校驗和匹配所述預定校驗和時,使用設置到所述第三值的所述讀出參數從所述NVM設備的其它存儲單元讀取。
10.一種由被編程為執行下列操作的計算系統實現的方法,包括:
將用于讀取存儲在非易失性存儲器(NVM)設備中的數據的讀出參數設置到第一值;
使用設置在所述第一值的所述讀出參數從一個或者多個存儲單元讀取所述讀出參數的預定值,其中所述一個或者多個存儲單元存儲所述預定值;
驗證所述預定值是否從所述一個或者多個存儲單元被正確地讀取;
當所述預定值從所述一個或者多個存儲單元被正確地讀取時,將所述讀出參數設置到所述預定值;以及
當所述預定值沒有被正確地讀取時,反復設定所述讀出參數,直到所述預定值被正確地讀取。
11.根據權利要求10所述的方法,其中所述讀出參數是所述NVM設備的讀出窗口的基準電流。
12.根據權利要求10所述的方法,其中所述驗證包括:
將從所述一個或者多個存儲單元的第一存儲單元讀取的數據值與從所述一個或者多個存儲單元的第二存儲單元讀取的數據值相比較;以及
當在所述數據值之間沒有匹配時,將所述讀出參數調整為所述第二值。
13.根據權利要求10所述的方法,其中所述驗證包括:
使用設置在所述第一值的所述讀出參數讀取所述預定值的預定校驗和,其中所述預定校驗和被存儲在NVM設備的所述一個或者多個存儲單元的另一個存儲單元中;
計算從所述NVM設備的所述一個或者多個存儲單元讀取的數據值的校驗和;以及
將所述校驗和與所述預定校驗和相比較,其中當所述校驗和匹配所述預定校驗和時,所述預定值被正確地讀取。
14.根據權利要求13所述的方法,還包括:
當在所述校驗和與所述預定校驗和之間沒有匹配時,將所述讀出參數調整為所述第二值;以及
當在所述校驗和與所述預定校驗和之間存在匹配時,將所述讀出參數調整為所述預定值。
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