[發明專利]用于具有可編程溫度斜率的電流的電路

有效

• 申請號: 201210490770.X
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN103135656A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 克里斯堤涅·松特
• 申請（專利權）人: 賽普拉斯半導體公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 周靖;鄭霞

1.一種電路，包括

電流基準電路，其被配置成生成基準電流，該基準電流具有可編程溫度斜率，其中所述電流基準電路包括：

電阻器；

帶隙電壓電路，其被配置成生成帶隙電壓并且耦合到所述電阻器；以及

偏置電壓電路，其被配置成生成極性可變的偏置電壓并且耦合到所述帶隙電壓電路，

其中所述帶隙電壓電路被配置成將所述極性可變的偏置電壓添加到所述帶隙電壓，以生成通過所述電阻器的所述基準電流。

2.如權利要求1所述的電路，其中所述電流基準電路還包括電流鏡，該電流鏡耦合到所述帶隙電壓電路并且被配置成將具有可編程溫度斜率的所述電流施加到負載。

3.如權利要求2所述的電路，其中所述負載是用于非易失性存儲單元的電流感測電路的一部分，并且具有所述可編程溫度斜率的所述電流是電流感測電路的電流基準，針對該電流基準對感測窗進行設置，用于最佳地感測貫穿非易失性存儲單元的電流。

4.如權利要求2所述的電路，其中所述電流鏡包括

第一場效應晶體管（FET），其耦合到所述帶隙電壓電路的一個端子，以形成第一支路；

第二FET，其耦合到所述電阻器的第一端子，其中所述電阻器的第二端子耦合到所述帶隙電壓電路的第二端子，以形成第二支路；以及

第三FET，其耦合到所述第一FET和所述第二FET，并且被配置成將所生成的具有所述可編程溫度斜率的電流施加到所述負載。

5.如權利要求2所述的電路，其中所述電流基準電路還包括運算放大器，用于將所述電流鏡的第一支路和第二支路設置到共同的電勢。

6.如權利要求1所述的電路，其中所述偏置電壓電路包括數字-模擬轉換器，該數字-模擬轉換器耦合到所述帶隙電壓電路。

7.如權利要求1所述的電路，其中所述偏置電壓電路包括可編程的分壓器，該可編程的分壓器耦合到所述帶隙電壓電路。

8.一種電路，包括：

電流基準電路，其被配置成生成基準電流，該基準電流具有可編程溫度斜率，其中所述電流基準電路包括：

電阻器；

帶隙電壓電路，其被配置成生成帶隙電壓并且耦合到所述電阻器；

偏置電壓電路，其被配置成生成偏置電壓并且耦合到所述帶隙電壓電路；以及

至少一個開關，其耦合在所述偏置電壓電路與所述帶隙電壓電路之間，并且被配置成改變被施加到所述帶隙電壓電路的偏置端子的所述偏置電壓的極性，

其中所述帶隙電壓電路被配置成將所述偏置電壓添加到所述帶隙電壓，以生成通過所述電阻器的所述基準電流。

9.如權利要求8所述的電路，其中所述電流基準電路還包括電流鏡，該電流鏡耦合到所述帶隙電壓電路，并且被配置成將具有可編程溫度斜率的所述電流施加到負載。

10.如權利要求8所述的電路，其中所述負載是用于非易失性存儲單元的電流感測電路的一部分，并且具有所述可編程溫度斜率的所述電流是電流感測電路的電流基準，針對該電流基準對感測窗進行設置，用于最佳地感測貫穿非易失性存儲單元的電流。

11.如權利要求8所述的電路，其中所述電流鏡包括

第一場效應晶體管（FET），其耦合到所述帶隙電壓電路的一個端子，以形成第一支路；

第二FET，其耦合到所述電阻器的第一端子，其中所述電阻器的第二端子耦合到所述帶隙電壓電路的第二端子，以形成第二支路；以及

第三FET，其耦合到所述第一FET和所述第二FET，并且被配置成將所生成的具有所述可編程溫度斜率的電流施加到所述負載。

12.如權利要求8所述的電路，其中所述電流基準電路還包括運算放大器，用于將所述電流鏡的第一支路和第二支路設置到共同的電勢。

13.如權利要求8所述的電路，其中所述偏置電壓電路包括耦合到所述帶隙電壓電路的數字-模擬轉換器。

14.如權利要求8所述的電路，其中所配置的所述偏置電壓電路還包括耦合到所述帶隙電壓電路的可編程的分壓器。