[發明專利]基于雙重SiO2-ZnO結構的電抽運隨機激光器、其制備方法及用途有效
| 申請號： | 201210490468.4 | 申請日： | 2012-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN102931583A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 馬向陽;李云鵬;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01S5/30 | 分類號： | H01S5/30;H01S5/042 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人： | 劉曉春 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 雙重 sio sub zno 結構 抽運 隨機 激光器 制備 方法 用途 | ||
1.一種電抽運隨機激光器，其特征在于：在硅襯底(1)的正面自下而上依次沉積有第一ZnO薄膜(2)、第一SiO2薄膜(3)、第二ZnO薄膜(4)、第二SiO2薄膜(5)和半透明電極(6)，在硅襯底(1)背面沉積有歐姆接觸電極(7)。
2.根據權利要求1所述的電抽運隨機激光器，其特征在于：所述的第一ZnO薄膜(2)、第二ZnO薄膜(4)的厚度為30nm～500nm。
3.根據權利要求1所述的電抽運隨機激光器，其特征在于：所述的第一SiO2薄膜(3)、第二SiO2薄膜(5)的厚度為30～100nm。
4.根據權利要求1所述的電抽運隨機激光器，其特征在于：所述的半透明電極(6)的厚度為10～30nm。
5.根據權利要求1所述的電抽運隨機激光器，其特征在于：所述的半透明電極(6)為半透明Au?電極。
6.一種電抽運隨機激光器的制備方法，包括如下步驟：
1)?在硅襯底(1)正面沉積第一ZnO薄膜(2)；
2)?在第一ZnO薄膜(2)上沉積第一SiO2薄膜(3)；
3)?在第一SiO2薄膜(3)上沉積第二ZnO薄膜(4)；
4)?在第二ZnO薄膜(4)上沉積第二SiO2薄膜(5)；
5)?在第二SiO2薄膜(5)上濺射半透明電極(6)，在硅襯底(1)背面濺射歐姆接觸電極(7)，制得基于雙重SiO2-ZnO結構的電抽運隨機激光器。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述的第一SiO2薄膜(3)、第二SiO2薄膜(5)采用溶膠-凝膠法制得。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：分別將步驟1)沉積的第一ZnO薄膜(2)、步驟3)沉積的第二ZnO薄膜(4)進行熱處理，所述熱處理的溫度為300～900℃，時間為0.5～5小時。
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：分別將所述步驟2)?沉積的第一SiO2薄膜(3)、步驟4)沉積的第二SiO2薄膜(5)進行熱處理，所述熱處理的溫度為300～700℃，時間為0.5～3小時。
10.權利要求1～5任一項所述的電抽運隨機激光器在形成激光成像的光源中的應用。
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