[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210490083.8
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN103840061A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳隆欣;陳濱全;曾文良
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管，包括基座、固定于基座上的第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片及覆蓋第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片的封裝體，其特征在于：還包括第一導(dǎo)線、與第一導(dǎo)線分離的第二導(dǎo)線及固定于基座上的支撐件，支撐件與第一發(fā)光芯片之間的距離以及支撐件與第二發(fā)光芯片之間的距離均小于第一發(fā)光芯片至第二發(fā)光芯片的距離，第一發(fā)光芯片通過第一導(dǎo)線連接至支撐件，第二發(fā)光芯片通過第二導(dǎo)線連接至支撐件，第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線在支撐件上導(dǎo)通。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：基座包括第一引腳、第二引腳及連接第一引腳及第二引腳的絕緣帶。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于：支撐件頂部具有導(dǎo)電層，第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線通過導(dǎo)電層導(dǎo)通。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：支撐件包括齊納二極管，齊納二極管的頂部通過絕緣層連接導(dǎo)電層。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：齊納二極管包括N型層及P型層，N型層通過接合層固定于第一引腳上，P型層通過接線與第二引腳連接。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于：N型層開設(shè)收容P型層的溝槽，絕緣層覆蓋N型層及P型層并開設(shè)暴露P型層的開口，接線通過形成于開口內(nèi)的接墊與P型層導(dǎo)通。

7.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：支撐件包括絕緣塊，絕緣塊通過接合層固定于第一引腳上。

8.如權(quán)利要求2至7任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于：第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片分別固定于第一引腳及第二引腳上。

9.如權(quán)利要求2至7任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于：絕緣帶位于第一發(fā)光芯片及第二發(fā)光芯片之間。

10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于：支撐件由絕緣帶一體向上凸伸而出。