[發明專利]半導體結構和方法在審
| 申請號： | 201210489256.4 | 申請日： | 2012-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN103510153A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發明（設計）人： | 薛森鴻;陳步芳;王祥保 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 方法 | ||
1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：
將半導體原料和空位增強原料進行組合以形成組合的原料混合物；以及
將所述原料混合物結晶化為半導體晶錠。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述半導體原料和所述空位增強原料進行組合進一步包括：將所述半導體原料融化為半導體熔融。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述空位增強原料為氮化物。
4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：從所述半導體晶錠中分離出一個或多個半導體晶圓。
5.根據權利要求4所述的方法，進一步包括：在所述一個或多個半導體晶圓的一個半導體晶圓內形成隔離區。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，形成所述隔離區進一步包括：
在所述一個或多個半導體晶圓的一個半導體晶圓中的溝槽內沉積介電材料；以及
對所述介電材料進行退火，其中，對所述介電材料進行退火在所述一個或多個半導體晶圓的一個半導體晶圓內生成體微缺陷。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述體微缺陷的濃度大于約1E9#/cm3。
8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
提供半導體原料；
將空位增強原料引入所述半導體原料內，所述空位增強原料包括空位增強材料；
將所述半導體原料和所述空位增強材料結晶化為半導體晶錠，其中，所述半導體晶錠包括第一組空位；
從所述半導體晶錠中分離出半導體晶圓，所述半導體晶圓包括所述第一組空位；以及
使用至少部分熱工藝將所述第一組空位轉換為體微缺陷。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，引入所述空位增強原料在所述半導體原料內引入濃度在大約1E10原子/立方厘米和1E9原子/立方厘米之間的空位增強原料。
10.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
將半導體原料置于坩堝內；
將氮引入所述坩堝；
將所述半導體原料和所述氮混合以形成半導體熔融；以及
從所述半導體熔融中拉出半導體晶錠，所述半導體晶錠包括所述氮。
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