[發(fā)明專利]一種自適應(yīng)干擾信號擴(kuò)大裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210489008.X
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN102983815A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王斯剛;屈學(xué)民;文峻;尚永兵;李維娜;張敏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國人民解放軍第四軍醫(yī)大學(xué)
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H04B1/16
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 徐文權(quán)

1.一種自適應(yīng)干擾信號擴(kuò)大裝置，其特征在于，包括信號源（1）、輸入匹配網(wǎng)絡(luò)（2）、有源器件（3）、直流偏置（4）、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)（5）和負(fù)載（6）；所述信號源（1）的輸出端連接輸入匹配網(wǎng)絡(luò)（2）的輸入端，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)（2）的輸出端連接有源器件（3）的輸入端，有源器件（3）的輸出端連接輸出匹配網(wǎng)絡(luò)（5）的輸入端，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)（5）的輸出端連接至負(fù)載（6）的輸入端；所述直流偏置（4）的輸出端連接至有源器件（3）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)干擾信號擴(kuò)大裝置，其特征在于，該裝置的電路包括第一MOS晶體管（M1）、第二MOS晶體管（M2）、第一電阻（R₁）、第二電阻（R₂）、負(fù)載電阻（R_L）、限流電阻（R_d）、第一電感（L₁）、第二電感（L_S）、第一電容（C₁）、第二電容（C₂）和隔直電容（C_C）；其中第一MOS晶體管（M1）作為信號擴(kuò)大器件按照共源結(jié)構(gòu)連接，第二電感（L_s）連接在第一MOS管（M1）的源極和地電位之間，其提供的串聯(lián)負(fù)反饋效應(yīng)使第一MOS管（M1）柵極的輸入阻抗等于或近似等于干擾最優(yōu)源阻抗的共軛，第一MOS管（M1）的漏極通過第二電容（C₂）和負(fù)載電阻（R_L）接地電位；第一電容（C₁）和第一電感（L₁）組成一個L型輸入匹配網(wǎng)絡(luò)（2），其中一端與第一MOS管（M1）柵極相連，另一端通過隔直電容（C_C）與信號源連接；第二電容（C₂）和第四電感（L_d）組成一個L型輸出匹配網(wǎng)絡(luò)（5），其中一端與第一MOS管（M1）漏極相連，另一端與負(fù)載（6）連接；限流電阻（R_d）一端與電源V_dd相連，另一端與第四電感（L_d）相連；第MOS管（M₂）、第一電阻（R₁）和第二電阻（R₂）組成電流鏡電路，第二MOS管（M₂）的柵極和漏極相連，源極接地電位，第一電阻（R₁）的一端與電源V_dd相連，另一端與第MOS管（M₂）的漏極相連，第二電阻（R₂）的一端與第二MOS管（M₂）的柵極相連，另一端連接在隔直電容（C_C）和第一電感（L₁）的公共連接點上。