[發明專利]MOSFET的等效網絡及仿真方法

有效

• 申請號: 201210488418.2
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN103838896B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 武潔
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種MOSFET的等效網絡，其特征在于：所述MOSFET仿真模型的等效網絡包含一MOSFET，電流控制電流源，第一及第二電壓源，第一及第二電壓控制電壓源，第一、第二、第三及第四電阻，其中：

MOSFET的漏極連接第三電阻的第一端，第三電阻的另一端引出所述等效網絡的漏極；MOSFET的源極連接第四電阻的第一端，第四電阻的另一端引出所述等效網絡的源極；MOSFET的柵極及襯底電極直接引出；

電流控制電流源的兩端分別接在MOSFET的源極和漏極；

第一電壓控制電壓源由MOSFET的源漏電壓控制，且第一電壓控制電壓源作用于第一電阻并產生電流流經第一電壓源；

第二電壓控制電壓源由第三電阻兩端的電壓控制，且第二電壓控制電壓源作用于第二電阻并產生電流流經第二電壓源。

2.如權利要求1所述的MOSFET的等效網絡，其特征在于：所述的MOSFET由SPICE程序提供，是一源漏對稱，或者不對稱的MOSFET。

3.如權利要求1所述的MOSFET的等效網絡，其特征在于：所述第三電阻模擬MOSFET的漏極電阻，第四電阻模擬MOSFET的源極電阻；第一電壓控制電壓源由MOSFET的源漏電壓控制，且第一電壓控制電壓源控制第一電阻使第一電壓源產生相應電流；第二電壓控制電壓源由第三電阻兩端的電壓控制，且第二電壓控制電壓源控制第二電阻使第二電壓源產生相應的電流；第一電壓源及第二電壓源產生的電流反饋到電流控制電流源，以模擬MOSFET的自發熱效應。

4.一種MOSFET的仿真方法，其特征在于：包含如下兩個步驟：

步驟一，構建MOSFET的等效網絡；

步驟二，利用構建的等效網絡進行MOSFET的仿真。

5.如權利要求4所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述步驟一中，MOSFET的等效網絡包含有一基礎MOSFET，一電流控制電流源，第一、第二、第三、第四電阻，第一及第二電壓控制電壓源，第一及第二電壓源，其中：

MOSFET的漏極連接第三電阻的第一端，第三電阻的另一端引出所述等效網絡的漏極；MOSFET的源極連接第四電阻的第一端，第四電阻的另一端引出所述等效網絡的源極；MOSFET的柵極及襯底電極直接引出；

電流控制電流源的兩端分別接在MOSFET的源極和漏極；

第一電壓控制電壓源由MOSFET的源漏電壓控制，且第一電壓控制電壓源作用于第一電阻并產生與第一電壓控制電壓源等數值電流，此電流流經第一電壓源；

第二電壓控制電壓源由第三電阻兩端的電壓控制，且第二電壓控制電壓源作用于第二電阻并產生與第二電壓控制電壓源等數值電流，此電流流經第二電壓源。

6.如權利要求5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述的基礎MOSFET由SPICE程序提供，是一源漏對稱，或者源漏不對稱的MOSFET。

7.如權利要求4和5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述的MOSFET的等效網絡，外接的第三電阻用于模擬MOSFET的漏極電阻，第四電阻用于模擬MOSFET的源極電阻，且需考慮外接的第三及第四電阻的電壓系數及溫度系數；第一電壓控制電壓源由MOSFET的源漏電壓控制，且第一電壓控制電壓源控制第一電阻使第一電壓源產生相應電流；第二電壓控制電壓源由第三電阻兩端的電壓控制，且第二電壓控制電壓源控制第二電阻使第二電壓源產生相應的電流；第一電壓源及第二電壓源產生的電流反饋到電流控制電流源，以模擬MOSFET的自發熱效應。

8.如權利要求5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述電流控制電流源受第一及第二電壓源的對應電流控制。

9.如權利要求5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：通過第一及第二電壓控制電壓源的溫度依存性來模擬器件自發熱效應和溫度依存性。