[發(fā)明專利]電磁屏蔽面板及其制備方法和顯示器

無效

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• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN102963077A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 鄭芳平;張迅;易偉華
• 申請（專利權）人: 江西沃格光電科技有限公司
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06;G09F9/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發(fā)明涉及電磁屏蔽技術領域，特別是涉及一種電磁屏蔽面板及其制備方法和一種含有該電磁屏蔽面板的顯示器。

背景技術

傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板包括玻璃基底及鍍于玻璃基底表面上的一層ITO膜，這種電磁屏蔽面板具有一定的電磁屏蔽效果，但其透光效果較差，滿足不了一些應用要求。例如，將傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板應用于液晶顯示屏時，其透光效果和視覺效果皆較差；又例如，將傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板應用于飛機內部時，既要求電磁屏蔽面板具有較好的電磁屏蔽效果，同時還需要電磁屏蔽面板具有較高的透射率，只有這樣才使飛行員很好地看到外面的場景，才能滿足正常的飛行的需要。而且傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板中的ITO膜層裸露在外，長時間使用后，容易出現ITO膜層吸水或由于使用不當導致部分ITO膜層刮落，從而導致電磁屏蔽效果下降，進而縮短其使用壽命。

發(fā)明內容

基于此，有必要提供一種透射率高且使用壽命較長的電磁屏蔽面板及其制備方法。

一種電磁屏蔽面板，包括玻璃基底、設于所述玻璃基底表面上的ITO層及設于所述ITO層上的SiO₂層，其中，所述ITO層的厚度為80~100nm，所述SiO₂層的厚度為85~95nm。

由于ITO具有電阻率低，透明性好且折射率較高（一般為2.0左右）等優(yōu)點，而SiO₂的折射率較低（一般為1.5左右），因此，ITO層與SiO₂層可以構成兩層減反射膜系，在保證電磁屏蔽效果的同時還能獲得較好的透光率；同時根據光的干涉原理、光的波動性特性以及電磁屏蔽的效果將ITO層的厚度設計為80~100nm，SiO₂層的厚度設計為85~95nm。根據光的干涉原理及光的波動性特性可知，膜層的厚度只有在滿足一定的光學厚度時，才能獲得較佳的透光率；同時對于兩層減反射膜系，既要考慮兩層膜各自的膜的厚度，還要考慮二者的一個協(xié)同作用的膜的厚度；而且膜層的厚度對電磁屏蔽效果也有一定的影響。此外，ITO層外的SiO₂層對ITO層能夠起到很好的保護作用，從而使得上述電磁屏蔽面板具有相對較長的使用壽命。因此，上述電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果、高透射率以及相對較長的使用壽命。此外，通過測試傳統(tǒng)的方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板和上述方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板的透射率，透射率分別80%和90%，因此上述設計的電磁屏蔽面板的透射率得到了較大的提高。

一種電磁屏蔽面板的制備方法，包括如下步驟：

使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為80~100nm的ITO層；

使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制厚度為85~95nm的SiO₂層。

在其中一個實施例中，所述使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底表面上鍍制厚度為80~100nm的ITO層的過程是在直流或中頻電源下進行磁控濺射鍍膜，其中氣體氛圍是流量為100~200sccm的氬氣氛圍。

在其中一個實施例中，所述使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制厚度為85~95nm的SiO₂層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O₂的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為100~200sccm，O₂的流量為80~120sccm。

上述電磁屏蔽面板的制備方法的制備工藝相對簡單，制備得到的電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果和高透射率。

此外，還有必要提供一種使用上述電磁屏蔽面板的顯示器。

一種顯示器，包括電磁屏蔽面板，所述電磁屏蔽面板包括玻璃基底、設于所述玻璃基底表面上的ITO層及設于所述ITO層上的SiO₂層，其中，所述ITO層的厚度為80~100nm，所述SiO₂層的厚度為85~95nm。

上述顯示器由于使用了上述高透防電磁屏蔽的面板，其透光效果和視覺效果均得到提高。

附圖說明

圖1為一實施方式的電磁屏蔽面板的結構示意圖。

具體實施方式

下面主要結合附圖及具體實施方式對電磁屏蔽面板及其制備方法和應用作進一步詳細的說明。