[發(fā)明專利]利用在Ti表面原位合成的TiO2納米管覆層負載慶大霉素的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210487406.8
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN103007347A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李華;劉忠堂;王珮;劉河洲;王立強
• 申請（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué);上海市第六人民醫(yī)院
• 主分類號: A61L27/30
• 分類號: A61L27/30;A61L27/54;C25D11/26
• 代理公司: 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225
• 代理人: 蔣亮珠

1.一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，首先利用陽極氧化法在預(yù)處理后的鈦基板上制備TiO₂納米管覆層，然后將制得的TiO₂納米管浸到堿性溶液中，進而通過共沉淀法在TiO₂納米管覆層中負載慶大霉素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，所述的鈦基板的預(yù)處理方法為：先對Ti片進行打磨，然后依次在丙酮、乙醇溶液中進行超聲清洗、干燥。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，所述的陽極氧化法是以鈦基板作為陽極、Pt片作為陰極，在有機電解液中電解氧化。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，所述的有機電解液為乙二醇、H₂O和NH₄F的混合液，其中乙二醇的體積百分比含量為50vol％-90vol％，H₂O的體積百分比含量為10vol％-50vol％，NH₄F的摩爾分數(shù)含量為0.05-0.15M；所述的電解氧化的電壓為20-60V，時間0.5-10h。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，所述的TiO₂納米管浸到堿性溶液中之前進行熱處理，所述的熱處理為在真空馬弗爐中從室溫升至400℃～600℃，速率為1℃-5℃/min，保溫2h-4h，然后隨爐降溫。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，所述的堿性溶液為1-10M的NaOH溶液，TiO₂納米管浸到堿性溶液中的時間為0.5-2h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，所述的共沉淀法為：將堿性溶液處理后的TiO₂納米管浸入慶大霉素與緩沖液組成的混合溶液中，在細胞培養(yǎng)器中孵育1-3天即得產(chǎn)品。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種利用在Ti表面原位合成的TiO₂納米管覆層負載慶大霉素的方法，其特征在于，所述的緩沖液為磷酸鹽緩沖液，磷酸鹽緩沖液的pH值為7.2-7.6，混合溶液中慶大霉素的濃度為1000mg/L。