[發明專利]多循環快速熱退火非晶硅薄膜的方法

無效

• 申請號: 201210487362.9
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN102978590A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 金晶;瞿曉雷;史偉民;戴文韞;袁安東
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C23C16/56
• 分類號: C23C16/56
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 陸聰明

1.一種多循環快速熱退火晶化非晶硅薄膜的方法，其特征在于其有以下的過程和步驟：

a)??????使用普通玻璃載片作為襯底，分別用分析純丙酮，酒精和去離子水對襯底進行超聲波清洗，使玻璃襯底清潔，烘干后放入等離子增強化學氣相沉積反應室；

b)??????采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設備在載玻片生長一層非晶硅a-Si薄膜，沉積時襯底的溫度為150^oC～250^oC，沉積壓強即真空度為1.lTorr，沉積薄膜厚度為200?nm～300nm；濺射功率為200W，射頻頻率為13.56MHz；氣源為純度為100%的硅烷，作為稀釋硅烷使用的氫氣純度為5N；

c)??????用氫氟酸來去除非晶硅薄膜表面的氧化層；將非晶硅薄膜放置于HF:H₂O=1:100的溶液中浸泡1-2min，取出用去離子水沖洗干凈烘干，然后將非晶硅樣品放置于快速熱退火爐的石英支架上，推入石英腔內；

d)?????升溫從室溫開始，以150-200^oC/s左右的升溫速率快速提升溫度，將薄膜表面升溫至640^oC后再恒溫一段時間，然后開始自然冷卻；當薄膜溫度冷卻到達室溫后，按同法再進行下一次升溫，在整個退火過程中，通入氮氣作為保護氣體；

e)??????按上法經過多次循環快速熱退火，以達到晶化效果，最后制得多晶硅薄膜。