[發明專利]平面型 DMOS器件及其制備方法和電子設備

有效

• 申請號: 201210487355.9
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN103839997A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 文燕;陳建國;潘光燃;何昌
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種平面型DMOS器件，其特征在于，在芯片的部分或全部周邊連接有延伸的硼離子注入區。

2.根據權利要求1所述的平面型DMOS器件，其特征在于，所述等離子體注入區的寬度大于5微米。

3.根據權利要求1所述的平面型DMOS器件，其特征在于，所述等離子區包括P型離子注入區、孔和金屬三層。

4.制備平面型DMOS器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

202：在生長一層厚約8000埃的二氧化硅的wafer上涂一層光刻膠，在需要注入硼離子的地方顯影刻蝕，注入硼，劑量為1e14，電壓為60KeV，角度為7，同時在劃片槽挨著芯片的地方刻開，注入同樣劑量的硼離子，與芯片區注入硼離子同時完成；

707：在源極、多晶硅處刻蝕介質層，淀積4微米鋁，刻蝕鋁，在劃片槽區域，也就是在步驟202中劃片槽的硼離子注入區也淀積鋁。

5.根據權利要求4所述方法，其特征在于，包括如下步驟：

101：清洗wafer，在wafer上生長一層厚約8000埃的二氧化硅。

202：在生長一層厚約8000埃的二氧化硅的wafer上涂一層光刻膠，在需要注入硼離子的地方顯影刻蝕，注入硼，同時在劃片槽挨著芯片的地方刻開，注入同樣劑量的硼離子，與芯片區注入硼離子同時完成；

303：涂一層光刻膠，在DMOS的Active區顯影刻蝕，在Active區注入磷;

404：在整片wafer生長一層厚為1200埃的二氧化硅和厚度為7000埃的ploy，然后刻蝕，只有在需要的地方留下二氧化硅和多晶硅；

505：利用光刻膠做阻擋，在DMOS的Active區沒有多晶硅的地方注入硼，形成DMOS的P型離子的阱區，然后再以光刻膠作阻擋在P型離子的阱區注入砷，形成DMOS的源區;

606：在整片wafer上淀積一層約10000埃介質層，劃片槽上也淀積了介質層；

707：在源極、多晶硅處刻蝕介質層，淀積鋁，刻蝕鋁，在劃片槽的硼離子注入區也淀積鋁。

6.根據權利要求5所述方法，其特征在于，包括如下步驟：

101：清洗wafer，在wafer上生長一層厚約8000埃的二氧化硅。

202：在生長一層厚約8000埃的二氧化硅的wafer上涂一層光刻膠，在需要注入硼離子的地方顯影刻蝕，注入硼，劑量為1e14，電壓為60KeV，角度為7，同時在劃片槽挨著芯片的地方刻開，注入同樣劑量的硼離子，與芯片區注入硼離子同時完成；

303：涂一層光刻膠，在DMOS的Active區顯影刻蝕，在Active區注入磷，劑量為3e12，電壓為140Kev，角度為7;

404：在整片wafer生長一層厚為1200埃的二氧化硅和厚度為7000埃的ploy，然后刻蝕，只有在需要的地方留下二氧化硅和多晶硅；

505：利用光刻膠做阻擋，在DMOS的Active區沒有多晶硅的地方注入硼，劑量為8.5E13，電壓為80KeV，角度為7，形成DMOS的P型離子的阱區，然后再以光刻膠作阻擋在P型離子的阱區注入砷，電壓為75Kev，劑量為5E15，角度0，形成DMOS的源區;

606：在整片wafer上淀積一層約10000埃介質層，劃片槽上也淀積了介質層；

707：在源極、多晶硅處刻蝕介質層，淀積4微米鋁，刻蝕鋁，在劃片槽的硼離子注入區也淀積鋁。

7.一種電子設備，其特征在于，包含如權利要求1-3任一項所述的平面型DMOS器件。